"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии
Регель А.Р., Абдуманапов У.Ж., Васильев В.А., Мездрогина М.М., Насрединов Ф.С., Серегин П.П.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Показано, что примесные атомы диспрозия образуют в зазоре подвижности аморфного гидрогенизированного кремния полосу акцепторного типа, лежащую на 0.73 эВ ниже порога подвижности. Увеличение фотопроводимости легированного материала объясняется эффектами геттерирования. Отмечается, что примесные атомы диспрозия формируют центры излучательной рекомбинации и в принципе возможен переход к режиму стимулированного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.