"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe
Белогорохов А.И.1, Белогорохова Л.И.2, Белов А.Г.1, Лакеенков В.М.1, Смирнова Н.А.1
1Институт редкометаллической промышленности "Гиредмед", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследовались инфракрасные спектры пропускания монокристаллических образцов n-CdTe и n-Cd1-xZnxTe при 295 и 77 K. Проведен анализ полученных экспериментальных данных в предположении, что наблюдаемые спектральные зависимости коэффициента пропускания обусловлены поглощением инфракрасного излучения свободными носителями заряда. Показано, что результаты расчета удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Значения концентраций и подвижностей электронов, рассчитанные из спектров пропускания, близки к значениям аналогичных параметров, полученных из электрических измерений.
  1. Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) с. 27, 45, 51
  2. Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (Л., Наука, 1970) с. 39
  3. M. Cardona. J. Phys. Chem. Sol., 24(4), 1543 (1963)
  4. M.J.S.H. Brasil, M.C. Tamargo, R.E. Nahory, H.L. Gilchrist, R.J. Martin. Appl. Phys. Lett., 59(10), 1206 (1991)
  5. Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982) с. 73
  6. J. Baars, F. Sorger. Sol. St. Commun., 10(9), 875 (1972)
  7. W.J. Kim, M.J. Park, S.U. Kim, T.S. Lee, J.M. Kim, W.J. Song, S.H. Suh. J. Cryst. Growth, 104(3), 677 (1990)
  8. B. Li, J. Zhu, X. Zhang, J. Chu. J. Cryst. Growth, 181, 204 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.