Вышедшие номера
Оптоэлектронные явления в полуизолирующих монокристаллах CdTe и структурах на их основе
Ильчук Г.А.1, Украинец Н.А.1, Иванов-Омский В.И.2, Рудь Ю.В.2, Рудь В.Ю.3
1Государственный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Развит метод газотранспортных реакций с использованием транспортирующих агентов NH4Cl (Br,J) и выращены полуизолирующие монокристаллы теллурида кадмия с концентрацией носителей p=108/ 1010 см-3 при T=300 K. Реализованы поверхностно-барьерные структуры In-CdTe с максимальной вольтовой фоточувствительностью ~ 105 В/Вт. Исследованы излучательные свойства кристаллов при T=77 K и особенности спектров фоточувствительности структур. Показано, что излучательные свойства однородных монокристаллов и особенности спектров фоточувствительности структур обусловлены легированием CdTe галогенами Cl, Br и J, поступающими из транспортирующих агентов. При наклонном падении линейно поляризованного излучения в структурах In-CdTe возникает наведенный фотоплеохроизм, который растет пропорционально квадрату угла падения. На основании измерений фотоплеохроизма структур определен показатель преломления (n=2.8). Сделан вывод о возможности использования полученных структур в качестве фотодетекторов естественного и линейно поляризованного излучения.