"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптоэлектронные явления в полуизолирующих монокристаллах CdTe и структурах на их основе
Ильчук Г.А.1, Украинец Н.А.1, Иванов-Омский В.И.2, Рудь Ю.В.2, Рудь В.Ю.3
1Государственный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Развит метод газотранспортных реакций с использованием транспортирующих агентов NH4Cl (Br,J) и выращены полуизолирующие монокристаллы теллурида кадмия с концентрацией носителей p=108/ 1010 см-3 при T=300 K. Реализованы поверхностно-барьерные структуры In--CdTe с максимальной вольтовой фоточувствительностью ~ 105 В/Вт. Исследованы излучательные свойства кристаллов при T=77 K и особенности спектров фоточувствительности структур. Показано, что излучательные свойства однородных монокристаллов и особенности спектров фоточувствительности структур обусловлены легированием CdTe галогенами Cl, Br и J, поступающими из транспортирующих агентов. При наклонном падении линейно поляризованного излучения в структурах In--CdTe возникает наведенный фотоплеохроизм, который растет пропорционально квадрату угла падения. На основании измерений фотоплеохроизма структур определен показатель преломления (n=2.8). Сделан вывод о возможности использования полученных структур в качестве фотодетекторов естественного и линейно поляризованного излучения.
  1. С.М. Рывкин, О.А. Матвеев, Н.Б. Строкан. Полупроводниковые счетчики ядерных частиц [Полупроводники, вып. 10 (Ленингр. отд-ние о-ва "Знание", 1963)]
  2. Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, Ю.В. Рудь, С.М. Рывкин. ЖТФ, 34, 1146 (1966)
  3. R. Triboulet, Y. Marfainy, A. Corriet, P. Siffert. J. Appl. Phys., 45, 2759 (1974)
  4. P. Hoschl. Rev. Phys. Appl., 12, 229 (1977)
  5. Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28, 1505 (1994)
  6. Н.В. Агринская, О.А. Матвеев. ФТП, 17, 394 (1983)
  7. Н.В. Агринская, Н.Н., Зиновьев, О.А. Матвеев, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 14, 172 (1980)
  8. Н.В. Агринская, О.А. Матвеев. ФТП, 21, 542 (1987)
  9. Н.В. Агринская, О.А. Матвеев, А.В. Никитин, В.А. Солодкова. ФТП, 21, 676 (1987)
  10. Й.Д. Набитович, Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, С.П. Павлишин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18(2), 211 (1982)
  11. Й.Д. Набитович, Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, С.П. Павлишин. Журн. физ. химии, 57(6), 1356 (1983)
  12. Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, И.Е. Лопатинский, С.П. Павлишин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17(8), 1357 (1981)
  13. Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, С.П. Павлишин, С.И. Петренко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18(7), 1117 (1982)
  14. Ю.Г. Ахроменко, Г.А. Ильчук, И.В. Курило, С.П. Павлишин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20(9), 1494 (1984)
  15. G.A. Ilchuk, I.F. Viblyi, V.O. Dol'nikov, N.A. Ukrainets. E-MRS'96 Spring Meeting (Strasburg, 1998)
  16. О.Л. Матвеев, Е.Н. Аркадьев, Л.А. Гончаров. ДАН СССР, 221, 325 (1975)
  17. Ю.В. Рудь, К.В. Санин, Ю.Г. Шретер. ФТП, 5, 654 (1971)
  18. Ж. Панков. Оптические процесы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  19. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  20. Физика и химия соединений A-=SUP=-2-=/SUP=-B-=SUP=-6-=/SUP=-, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  21. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978) с. 340
  22. В.Ю. Рудь. Автореф. канд. дис. (СПб., ФТИ РАН, 1995)
  23. Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир., 1981)
  24. Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Высш. шк., 1976)
  25. G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)
  26. G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud', M.A. Tairov. Phys. St. Sol. (a), 115, 11 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.