"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция пленок Si3N4, имплантированных ионами Ge+ и Ar+
Тысченко И.Е.1, Володин В.А.1, Реболе Л.1, Фельсков М.1, Скорупа В.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Исследовательский центр Россендорф, Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 25 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Спектры эмиссии и возбуждения фотолюминесценции при комнатной температуре пленок Si3N4, имплантированных ионами Ge+ и Ar+, исследованы в зависимости от дозы ионов и температуры последующего отжига. Установлено, что внедрение связеобразующих атомов Ge при отжиге вплоть до температуры Ta=1000oC стимулирует образование центров, излучающих в зеленой и фиолетовой областях спектра. Имплантация инертных ионов Ar+ вносит преимущественно безызлучательные дефектные центры. Сравнительный анализ спектров фотолюминесценции данных резерфордовского обратного рассеяния и спектров комбинационного рассеяния показывает, что излучательная рекомбинация связана не с квантово-размерными эффектами в нанокристаллах Ge, а скорее с рекомбинацией на дефектах =Si-Si=, =Si-Ge= и =Ge-Ge=.
  1. T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
  2. H.A. Atwater, K.V. Shcheglow, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Proc., 321, 363 (1994)
  3. W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
  4. L.-S. Liao, X.-M. Bao, N.-Sh. Li, X.-Q. Zheng, N.-B. Min. J. Luminecs., 68, 199 (1996)
  5. Нитрид кремния в электронике, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1982) с. 198
  6. В.В. Васильев, Д.Г. Есаев, С.П. Синица. ЖТФ, 52, 795 (1982)
  7. П.А. Пундур, Ю.Г. Шевалгин. Изв. АН ЛатвССР, 5, 74 (1985)
  8. V.G. Baru, S. Bayliss, A.P. Chernushich, M.I. Elinson, P. Harris, V.A. Jitov, V.I. Pokalyakin, G.V. Stepanov, L.Yu. Zaharov. Microelectron. Eng., 36, 111 (1997)
  9. V.V. Vasilev, I.P. Mikhailovskii, K.K. Svitashev. Phys. St. Sol. (a), 95, K37 (1986)
  10. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993) с. 280
  11. V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.A. Gritsenko. Sol. St. Phenomena, 57-58, 501 (1997)
  12. L. Rebohle, J. von Borany, R. Grotzschel, A. Markwitz, B. Schmidt, I.E. Tyschenko, W. Skorupa, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 19 (1997)
  13. П.А. Пундур, Ю.Г. Шевалгин. Журн. прикл. спектроскопии, 5, 843 (1986)
  14. H.J. Stein. J. Appl. Phys., 47, 3421 (1976)
  15. В.А. Гриценко, А.В. Ржанов, С.П. Синица, В.И. Федченко, Г.Н. Феофанов. ДАН СССР, 287, 1381 (1986)
  16. В.А. Гриценко, П.А. Пундур. ФТТ, 28, 3239 (1986)
  17. V.V. Vasilev, I.P. Mikhailovskii. Phys. St. Sol. (a), 90, 355 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.