Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция пленок Si₃N₄, имплантированных ионами Ge⁺ и Ar⁺

Тысченко И.Е.¹, Володин В.А.¹, Реболе Л.¹, Фельсков М.¹, Скорупа В.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Исследовательский центр Россендорф, Дрезден, Германия

Поступила в редакцию: 25 августа 1998 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Спектры эмиссии и возбуждения фотолюминесценции при комнатной температуре пленок Si₃N₄, имплантированных ионами Ge⁺ и Ar⁺, исследованы в зависимости от дозы ионов и температуры последующего отжига. Установлено, что внедрение связеобразующих атомов Ge при отжиге вплоть до температуры T_a=1000^oC стимулирует образование центров, излучающих в зеленой и фиолетовой областях спектра. Имплантация инертных ионов Ar⁺ вносит преимущественно безызлучательные дефектные центры. Сравнительный анализ спектров фотолюминесценции данных резерфордовского обратного рассеяния и спектров комбинационного рассеяния показывает, что излучательная рекомбинация связана не с квантово-размерными эффектами в нанокристаллах Ge, а скорее с рекомбинацией на дефектах =Si-Si=, =Si-Ge= и =Ge-Ge=.

T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
H.A. Atwater, K.V. Shcheglow, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Proc., 321, 363 (1994)
W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
L.-S. Liao, X.-M. Bao, N.-Sh. Li, X.-Q. Zheng, N.-B. Min. J. Luminecs., 68, 199 (1996)
Нитрид кремния в электронике, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1982) с. 198
В.В. Васильев, Д.Г. Есаев, С.П. Синица. ЖТФ, 52, 795 (1982)
П.А. Пундур, Ю.Г. Шевалгин. Изв. АН ЛатвССР, 5, 74 (1985)
V.G. Baru, S. Bayliss, A.P. Chernushich, M.I. Elinson, P. Harris, V.A. Jitov, V.I. Pokalyakin, G.V. Stepanov, L.Yu. Zaharov. Microelectron. Eng., 36, 111 (1997)
V.V. Vasilev, I.P. Mikhailovskii, K.K. Svitashev. Phys. St. Sol. (a), 95, K37 (1986)
В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993) с. 280
V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.A. Gritsenko. Sol. St. Phenomena, 57-58, 501 (1997)
L. Rebohle, J. von Borany, R. Grotzschel, A. Markwitz, B. Schmidt, I.E. Tyschenko, W. Skorupa, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 19 (1997)
П.А. Пундур, Ю.Г. Шевалгин. Журн. прикл. спектроскопии, 5, 843 (1986)
H.J. Stein. J. Appl. Phys., 47, 3421 (1976)
В.А. Гриценко, А.В. Ржанов, С.П. Синица, В.И. Федченко, Г.Н. Феофанов. ДАН СССР, 287, 1381 (1986)
В.А. Гриценко, П.А. Пундур. ФТТ, 28, 3239 (1986)
V.V. Vasilev, I.P. Mikhailovskii. Phys. St. Sol. (a), 90, 355 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель