"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Долговременные релаксации фотопроводимости, обусловленные радиационными дефектами в p-Si
Мальханов С.Е.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

На основе представлений об уровнях прилипания проанализированы данные по релаксации фотопроводимости, связанной с одним из радиационных дефектов в p-кремнии, используемом в радиационной технологии. Исследовались дефекты, образованные дивакансиями в положительном зарядовом состоянии (W+), lambda=4 мкм. Показано, что этот дефект является уровнем прилипания по отношению к более глубоким уровням радиационных дефектов, например K-центру (что ярко проявляется после предварительной коротковолновой подсветки). В результате в фотопроводимости проявляются процессы с малыми временами релаксации. Показано также, что либо увеличение энергии электронов, используемых для введения данного радиационного дефекта до величины 15 МэВ, либо увеличение интенсивности облучения электронами с энергией 1 МэВ позволяет получить короткие релаксации фотопроводимости в данном материале.
  1. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  2. А. Милнз. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  3. М.С. Юнусов, М. Каримов, Б.Л. Оксенгендлер. ФТП, 32, 264 (1998)
  4. Н.В. Колесников, А.А. Лебедев, С.Е. Мальханов. ФТП, 13, 812 (1979)
  5. С.Е. Мальханов. Петербургский журнал электроники, N 3, 16 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.