Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия 
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
Исследовалось влияние плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах Si n- и p-типа. Показано, что приложение электрического поля к образцу в процессе облучения влияет на зависимость varphi(eta) только в кристаллах Si n-типа, что объясняется зарядовым состоянием пар Френкеля в момент образования при низких энергиях облучения.
- П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18, 345 (1984)
- В.И. Кожевников, В.В. Михневич. ФТП, 15, 1598 (1981)
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., 1969)
- J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys Rev., 138, 555 (1965)
- А.А. Золотухин, А.К. Коваленко, Т.М. Мещерякова, Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 9, 1201 (1975)
- Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
- З.В. Башелеишвили, Т.Л. Бжалава, Т.А. Пагава, В.В. Санадзе. Сообщ. АН ГССР, Физика, 116, 297 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
