Методом DLTS исследовано влияние фотовозбуждения электронной подсистемы полупроводника in situ при имплантации малых доз ионов на формирование комплексов радиационных дефектов в n-Si. Образцы n-Si облучались ускоренными до 150 кэВ ионами O⁺₂ и N⁺₂ с одинаковой дозой 10¹¹ см^-2 и ионами Ar⁺ с дозой 7· 10¹⁰ и 2· 10¹¹ см^-2. За исключением последнего случая энергия и дозы ионов выбирались из условия создания приблизительно одинакового количества первично смещенных атомов Si и их распределения по глубине от поверхности мишени. Температура образцов n-Si во время облучения составляла 300 или 600 K. Фотовозбуждение полупроводника проводилось ультрафиолетовым излучением с различной плотностью мощности. Показано, что нерадиационный нагрев образцов при ионной имплантации подавляет образование комплексов радиационных дефектов, в то время как фотовозбуждение n-Si, напротив, усиливает их формирование. Найдено, что воздействие подсветки возрастает с уменьшением массы иона и с увеличением температуры мишени. Установлена зависимость воздействия ультрафиолетовой подсветки на дефектообразование в n-Si от температуры образца при ионной имплантации. Обнаружено, что по мере увеличения интенсивности подсветки концентрация дивакансий в n-Si выходит на насыщение.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.