"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных дефектов
Барабаненков М.Ю.1, Леонов А.В.1, Мордкович В.Н.1, Омельяновская Н.М.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Методом DLTS исследовано влияние фотовозбуждения электронной подсистемы полупроводника in situ при имплантации малых доз ионов на формирование комплексов радиационных дефектов в n-Si. Образцы n-Si облучались ускоренными до 150 кэВ ионами O+2 и N+2 с одинаковой дозой 1011 см-2 и ионами Ar+ с дозой 7· 1010 и 2· 1011 см-2. За исключением последнего случая энергия и дозы ионов выбирались из условия создания приблизительно одинакового количества первично смещенных атомов Si и их распределения по глубине от поверхности мишени. Температура образцов n-Si во время облучения составляла 300 или 600 K. Фотовозбуждение полупроводника проводилось ультрафиолетовым излучением с различной плотностью мощности. Показано, что нерадиационный нагрев образцов при ионной имплантации подавляет образование комплексов радиационных дефектов, в то время как фотовозбуждение n-Si, напротив, усиливает их формирование. Найдено, что воздействие подсветки возрастает с уменьшением массы иона и с увеличением температуры мишени. Установлена зависимость воздействия ультрафиолетовой подсветки на дефектообразование в n-Si от температуры образца при ионной имплантации. Обнаружено, что по мере увеличения интенсивности подсветки концентрация дивакансий в n-Si выходит на насыщение.
  1. Ю.Н. Ерохин, А.Г. Итальянцев, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, 14, 835 (1988)
  2. А.Б. Данилин, Ю.Н. Ерохин, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, 15, 1 (1989)
  3. A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich. Nucl. Instr. Meth. B, 59/60, 985 (1991)
  4. С.Н. Болдырев, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельяновская, О.В. Феклисова, Н.Я. Ярыкин. ФТП, 28, 1826 (1994)
  5. S.N. Boldyrev, V.N. Mordkovich, N.M. Omelyanovskaya. Phys. St. Sol. (a), 143, K71 (1994)
  6. Yu.N. Erokhin, A.G. Ital'yantsev, A.A. Malinin, V.N. Mordkovich. Rad. Eff. Def. Sol., 128, 187 (1994)
  7. A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich, N. Hatzopoulos, P.L.F. Hemment. Nucl. Instr. Meth. B, 69, 268 (1992)
  8. K.L. Brower, W. Beezhold. J. Appl. Phys., 43, 3499 (1972)
  9. Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Г.П. Лебедев. ФТП, 7, 2297 (1973)
  10. Дж.А. Дэвис, Дж. Денхартог, Л. Эрикссон, Дж. Мейер. В сб.: Легирование полупроводников ионным внедрением, под ред. В.С. Вавилова и В.М. Гусева (М., Мир, 1971) с. 273
  11. I.H. Wilson, H.J. Zheng, U. Knipping, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. B, 38, 8444 (1988)
  12. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 29, 605 (1995)
  13. А.И. Баранов, Л.С. Смирнов. ФТП, 7, 2227 (1973)
  14. М.Ю. Барабаненков, А.В. Леонов, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельяновская. ФТП, 32, 523 (1998)
  15. И.А. Аброян, Л.М. Никулина. ФТП, 30, 1893 (1996)
  16. Н.Н. Герасименко, Б.А. Зайцев, В.И. Панов, Л.С. Смирнов, Е.Г. Тишковский. ФТП, 7, 1433 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.