Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 5 » Статья стр. 629
<<<>>>
Структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками в вертикальных оптических резонаторах для диапазона длин волн вблизи 1.3 мкм
Малеев Н.А.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Егоров А.Ю.1, Устинов В.М.1, Крестников И.Л.1, Лунев А.В.1, Сахаров А.В.1, Воловик Б.В.1, Леденцов Н.Н.1, Копьев П.С.1, Алфёров Ж.И.1, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 29 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
PDF версия
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs получены полупроводниковые гетероструктуры с вертикальными оптическими резонаторами, имеющие активные области на основе массивов квантовых точек InAs, помещенных во внешнюю квантовую яму InGaAs. Исследованы зависимости спектров отражения и фотолюминесценции от особенностей структуры активной области и оптических резонаторов. Предложенные гетероструктуры потенциально пригодны для создания оптоэлектронных приборов на диапазон длин волн вблизи 1.3 мкм.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998).
  2. R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, K. Nishi, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 67, 3795 (1995)
  3. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  4. G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Long Wavelength Semiconductor Lasers (N.Y., Van Nostrend Reinhold, 1986)
  5. A. Tsigopoulos, V. Paschos, C. Caroubalos, P. Salet, J. Jacquet. IEEE J. Quant. Electron., 33, 2221 (1997)
  6. Y. Qian, Z.H. Zhu, Y.H. Lo, D.F. Huffaker, D.G. Deppe, H.Q. Hou, B.E. Hammons, W. Lin, Y.K. Tu. Appl. Phys. Lett., 71, 25 (1997)
  7. T. Baba, Y. Yogo, K. Suzuki, F. Koyama, K. Iga. Quant. Optoelectron. Conf. (Palm Springs, 1994) PD2-2
  8. M. Kondow, T. Kitatani, M.C. Larson, K. Nakamura, K. Uomi, H. Inoue. LEOS'97 (San Francisko, 1997) ThE3
  9. J.C. Campbell, D.L. Huffaker, H. Deng, D.G. Deppe. Electron. Lett., 33, 1337 (1997)
  10. D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 520 (1998)
  11. V. Ustinov, A. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, B.V. Volovik, A.F. Tsatsul'nikov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Z. Alferov. Tenth Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy (Cannes, France, 1998) PT4.9.
  12. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Б.В. Воловик, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ю.М. Шерняков, А.В. Лунев, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Берт, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров. ФТП, 33, 180 (1999)
  13. M.S. Unlu, S. Strite. J. Appl. Phys., 78, 607 (1995)
  14. M.A. Afromovitz. Sol. St. Commun., 15, 59 (1974)
  15. Properties of Aluminium Gallium Arsenide, ed. by S. Adachi [INSPEC, EMIS Datareviews, N7 (1993)]
  16. P. Yeh. Optical waves in layered media (Wiley, N.Y., 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme