"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Связь надежности лазерных диодов с кристаллическим совершенством эпитаксиальных слоев, оцениваемым методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии
Евтихиев В.П.1, Котельников Е.Ю.1, Кудряшов И.В.1, Токранов В.Е.1, Фалеев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследована зависимость деградации мощных квантово-размерных лазерных диодов в системе GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от кристаллического совершенства отдельных слоев гетероструктуры. Кристаллическое совершенство слоев оценивалось методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Численное моделирование кривых дифракционного отражения проводилось с использованием статического фактора Дебая--Валлера. Показано, что существенно более высокое кристаллическое совершенство лазерных гетероструктур достигается при использовании в качестве волноводных слоев бинарных сверхрешеток AlAs/GaAs вместо твердого раствора AlGaAs.
  1. H. Yonezu, K. Endo, T. Kamejima, T. Torikai, T. Yuasa, T. Furuse. Appl. Phys. Lett., 50, 5150 (1979)
  2. F.R. Nash, R.L. Hartman, N.M. Denkin, R.W. Dixon. J. Appl. Phys., 50, 3122 (1979)
  3. F.R. Gfeller, D.J. Webb. J. Appl. Phys., 68, 14 (1990)
  4. H. Naito, O. Imafuji, M. Kume, H. Shimizu, M. Kazumura. Appl. Phys. Lett., 61, 515 (1992)
  5. R.G. Waters, R.K. Bertaska. Appl. Phys. Lett., 52, 179 (1988)
  6. С.Г. Конников, М.И. Свердлов, Ф.Я. Филипченко, А.А. Хазанов. ФТП, 24, 2010 (1990)
  7. М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, 26, 1760 (1992)
  8. B. Estop, A. Izrael, M. Sauvage. Acta Cryst., A32. 627 (1976)
  9. M.A.G. Halliwell, M.H. Lyons. J. Cryst. Growth, 68, 523 (1984)
  10. L. Tapfer, K. Ploog. Phys. Rev. B, 40, 9802 (1989)
  11. N.N. Faleev, L.I. Flaks, S.V. Batashova, S.G. Konnikov, I.K. Solimin. Phys. St. Sol. (a), 120, 327 (1990)
  12. C.R. Wie, J.C. Chen, H.M. Kim, P.L. Liu, Y.-W. Choi, D.M. Hwang. Appl. Phys. Lett., 55, 1774 (1989)
  13. L. Tapfer, M. Ospelt, H. Kanel. J. Appl. Phys., 67, 1298 (1990)
  14. N. Faleev, R. Stabenov, M. Sinitsyn, B. Yavich, A. Haase, A. Grudski. Mater. Sci. Forum, 166--169, 293 (1994)
  15. В.Г. Груздов, А.О. Косогов, Н.Н. Фалеев. Письма ЖТФ, 20, вып. 14, 1 (1994)
  16. R.N. Kyutt, P.V. Petrashen, L.M. Sorokin. Phys. St. Sol. (a), 60, 381 (1980)
  17. К.М. Павлов, В.И. Пунегов, Н.Н. Фалеев. ЖЭТФ, 107(6), 1967 (1995)
  18. F. Alexandre, L. Goldstein, G. Leroux, M.C. Joncour, H. Thibierge, E.V. Rao. J. Vac. Sci.Technol., B3, 950 (1985)
  19. N.A. Bert, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin. Abstracts of IX Int. Conf. on Microscopy of Semicond. Mater. (SMM IX) (UK Oxford, 1995) p. 98

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.