Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Связь надежности лазерных диодов с кристаллическим совершенством эпитаксиальных слоев, оцениваемым методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии
Евтихиев В.П.1, Котельников Е.Ю.1, Кудряшов И.В.1, Токранов В.Е.1, Фалеев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
Исследована зависимость деградации мощных квантово-размерных лазерных диодов в системе GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от кристаллического совершенства отдельных слоев гетероструктуры. Кристаллическое совершенство слоев оценивалось методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Численное моделирование кривых дифракционного отражения проводилось с использованием статического фактора Дебая-Валлера. Показано, что существенно более высокое кристаллическое совершенство лазерных гетероструктур достигается при использовании в качестве волноводных слоев бинарных сверхрешеток AlAs/GaAs вместо твердого раствора AlGaAs.
- H. Yonezu, K. Endo, T. Kamejima, T. Torikai, T. Yuasa, T. Furuse. Appl. Phys. Lett., 50, 5150 (1979)
- F.R. Nash, R.L. Hartman, N.M. Denkin, R.W. Dixon. J. Appl. Phys., 50, 3122 (1979)
- F.R. Gfeller, D.J. Webb. J. Appl. Phys., 68, 14 (1990)
- H. Naito, O. Imafuji, M. Kume, H. Shimizu, M. Kazumura. Appl. Phys. Lett., 61, 515 (1992)
- R.G. Waters, R.K. Bertaska. Appl. Phys. Lett., 52, 179 (1988)
- С.Г. Конников, М.И. Свердлов, Ф.Я. Филипченко, А.А. Хазанов. ФТП, 24, 2010 (1990)
- М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, 26, 1760 (1992)
- B. Estop, A. Izrael, M. Sauvage. Acta Cryst., A32. 627 (1976)
- M.A.G. Halliwell, M.H. Lyons. J. Cryst. Growth, 68, 523 (1984)
- L. Tapfer, K. Ploog. Phys. Rev. B, 40, 9802 (1989)
- N.N. Faleev, L.I. Flaks, S.V. Batashova, S.G. Konnikov, I.K. Solimin. Phys. St. Sol. (a), 120, 327 (1990)
- C.R. Wie, J.C. Chen, H.M. Kim, P.L. Liu, Y.-W. Choi, D.M. Hwang. Appl. Phys. Lett., 55, 1774 (1989)
- L. Tapfer, M. Ospelt, H. Kanel. J. Appl. Phys., 67, 1298 (1990)
- N. Faleev, R. Stabenov, M. Sinitsyn, B. Yavich, A. Haase, A. Grudski. Mater. Sci. Forum, 166--169, 293 (1994)
- В.Г. Груздов, А.О. Косогов, Н.Н. Фалеев. Письма ЖТФ, 20, вып. 14, 1 (1994)
- R.N. Kyutt, P.V. Petrashen, L.M. Sorokin. Phys. St. Sol. (a), 60, 381 (1980)
- К.М. Павлов, В.И. Пунегов, Н.Н. Фалеев. ЖЭТФ, 107(6), 1967 (1995)
- F. Alexandre, L. Goldstein, G. Leroux, M.C. Joncour, H. Thibierge, E.V. Rao. J. Vac. Sci.Technol., B3, 950 (1985)
- N.A. Bert, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin. Abstracts of IX Int. Conf. on Microscopy of Semicond. Mater. (SMM IX) (UK Oxford, 1995) p. 98
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
