Вышедшие номера
Насыщенная скорость вертикального дрейфа электронов в политипах карбида кремния
Санкин В.И.1, Лепнева А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики специально разработанных оригинальных трехэлектродных структур n+-p-n+ на основе карбида кремния. Впервые определены насыщенные дрейфовые скорости электронов в направлении, параллельном оси кристалла, для ряда политипов карбида кремния (4H, 6H, 8H и 21R), величины которых составили 3.3· 106, 2· 106, 106 и 4· 103 см/с соответственно. Полученные результаты интерпретируются в рамках представлений о минизонной электронной структуре, обусловленной естественной сверхрешеткой в SiC, и качественно удовлетворяют этим представлениям. Экспериментально подтверждена корреляция между дрейфовой скоростью и шириной первой минизоны в исследованных политипах.