Влияние полей случайно расположенных в кристалле полупроводника заряженных центров на электронную структуру нейтральных акцепторов и поляризацию люминесценции при переходах <зона проводимости>--акцептор
Осипов Е.Б.1, Воронов О.В.1, Сорокина Н.О.1, Борисов В.Б.1
1Череповецкий государственный университет, Череповец, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
Случайные поля в кристаллах, создаваемые заряженными примесями и другими дефектами, дают дополнительное расщепление уровней акцепторов, которое, в силу хаотичности направления этих полей, приводит к уменьшению степени поляризации люминесценции в условиях одноосной деформации полупроводника. Вместо обычного описания деполяризации излучения методом эффективной температуры, в работе предлагается модель учета влияния кулоновского поля случайно расположенных заряженных центров на основное состояние акцептора в поле внешней одноосной деформации полупроводника. Сопоставление рассчитанных в данной модели поляризационных характеристик люминесценции при давлении вдоль оси [100] с экспериментальными данными при низких температурах позволяет оценить концентрацию заряженных центров.
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- Н.С. Аверкиев, З.А. Адамия, Д.И. Аладашвили, Т.К. Амиров, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТП, 21, 421 (1987)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
