Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As

Есаев Д.Г.¹, Синица С.П.¹, Чернявский Е.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 6 июля 1998 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As. Проведен анализ поведения темнового тока в диапазоне температур T=7/ 25 K, напряжения смещения -4/ 4 B и приведены соображения о механизмах протекания темнового тока. Выработаны рекомендации выбора напряжения смещения на структурах для оптимальной работы в качестве фотоприемника инфракрасного излучения.

M.D. Petroff, M.G. Stapelbroek. Blocked Impurity Band Detectors. U.S. Patent No. 4, 568, 960; filed Oct. 1980; granted 4 Feb.1986
D.B. Reynolds, D.H. Seib, S.B. Stetson, T. Herter, N. Rowlands, J. Schoenwald. Trans. Nucl. Sci., 36, 857 (1989)
R.A. Noel. Proc. SPIE, 1685 ( Infrared Detectors and Focal Plane Arrays), 250 (1992)
M.D. Petroff, M.G. Stapelbroek, W.A. Kleinhans. Appl. Phys. Lett., 51, 406 (1987)
D.M. Watson, J.E. Huffman. Appl. Phys. Lett., 52, 1602 (1988)
J.E. Huffman, A.G. Grouse, B.L. Halleck, T.V. Downes, T.L. Herter. J. Appl. Phys., 72, 237 (1992)
Б.А. Аронзон, Д.Ю. Ковалев, А.М. Козлов, Ж. Леотин, В.В. Рыльков. ФТП, 32, 192 (1998)
В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Г.Н. Феофанов, В.М. Эмексузян. ФТП, 24, 1697 (1990)
В.М. Эмексузян, Г.Н. Камаев, Г.Н. Феофанов, В.В. Болотов. ФТП, 31, 311 (1997)
B.G. Martin. Sol. St. Electron., 33, 427 (1990)
N.Sclar. Prog. Quant. Electron., 9, 149 (1984)
E. Simoen, B. Dierickx, L. Deferm, C. Claeys, G. Declerck. J. Appl. Phys., 68, 4091 (1990)
М. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
F. Szmulowicz, F.L. Madarsz. J. Appl. Phys., 62, 2533 (1987)
F. Szmulowicz, F.L. Madarsz, J. Diller. J. Appl. Phys., 63, 5583 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель