Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As
Есаев Д.Г.1, Синица С.П.1, Чернявский Е.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 6 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Представлены результаты экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As. Проведен анализ поведения темнового тока в диапазоне температур T=7/ 25 K, напряжения смещения -4/ 4 B и приведены соображения о механизмах протекания темнового тока. Выработаны рекомендации выбора напряжения смещения на структурах для оптимальной работы в качестве фотоприемника инфракрасного излучения.