Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы
Кажукаускас В.1, Ясюленис Р.2, Календра В.1, Вайткус Ю.1
1Кафедра физики полупроводников и Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюсский университет, L Вильнюс, Литва
2Институт физики, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 21 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
Исследовалось воздействие облучения детекторов ионизирующего излучения из 4H-SiC различными дозами (до 1016 см-2) протонов с энергией 24 ГэВ. В ядерных реакциях скалывания протонов с углеродом образовались изотопы B, Be, Li, He и H. Изотопы Al, Mg, Na, Ne, F, O и N были образованы в реакциях протонов с кремнием. Полное количество образовавшихся стабильных изотопов изменялось пропорционально дозе облучения от 1.2·1011 до 5.9·1013 см-2. Показано, что при больших дозах облучения значительно изменяются контактные характеристики детекторов. Высота потенциального барьера от изначального значения 0.7-0.75 эВ увеличилась до 0.85 эВ, значительно ухудшились выпрямляющие характеристики контактов Шоттки. Данные эффекты объясняются образованием разупорядоченной структуры материала под облучением. PACS: 61.80.Jh, 72.80.Jc, 85.30.De
- Yu.A. Goldberg, M. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. In: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, (N.Y., Wiley, 2001) ch. 5 ( Silicon Carbide), p. 93
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, P.G. Fuochi, P. Vanni. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 792, 611 (2004)
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
- Z.-Q. Fang, D.C. Look, A. Saxler, W.C. Mitchel. Physica B, 308--310, 706 (2001)
- D.V. Davydov, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. Physica B, 308--310, 641 (2002)
- S. Maximenko, S. Soloviev, D. Cherednichenko, T. Sudarshan. Appl. Phys. Lett., 84, 1576 (2004)
- M. Tajima, M. Tanaka, N. Hoshino. Mater. Sci. Forum, 389--393, 597 (2002)
- N.E. Korsunska, I. Tarasov, V. Kushnirenko, S. Ostapenko. Semicond. Sci. Technol., 19, 833 (2004)
- R. Weingartner, P.J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, T.L. Straubinger, A. Winnacker. Appl. Phys. Lett., 80, 70 (2002)
- R. Stibal, S. Muller, W. Jantz, G. Pozina, B. Magnusson, A. Ellison. Phys. Status Solidi C, 0 (3), 1013 (2003)
- M. Mermoux, A. Crisci, F. Baillet. Mater. Sci. Forum., 433--436, 353 (2003)
- S. Ostapenko, Yu.M. Suleimanov, I. Tarasov, S. Lulu, S.E. Saddow. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 381 (2002)
- Q. Li, A.Y. Polyakov, M. Skowronski, M.D. Roth, M.A. Fanton, D.W. Snyder. J. Appl. Phys., 96, 411 (2004)
- D.M. Martin, H.K. Nielsen, P. Leveque, A. Hallen, G. Alfieri, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett., 84, 1704 (2004)
- Y. Negoro, K. Katsumoto, T. Kimoto, H. Matsunami. J. Appl. Phys., 96, 224 (2004)
- L. Wang, J. Huang, X. Duo, Z. Song, Ch. Lin, C.-M. Zetterling, M. Ostling. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 1551 (2000)
- W. Cunningham, A. Gouldwell, G. Lamb, P. Roy, J. Scott, K. Mathieson, R. Bates, K.M. Smith, R. Cusco, I.M. Watson, M. Glaser, M. Rahman. J. Phys. D, 34, 2748 (2001)
- F. Nava, E. Vittone, P. Vanni, P.G. Fuochi, C. Lanzieri. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 514, 126 (2003)
- W. Cunningham, J. Melone, M. Horn, V. Kav zukauskas, P. Roy, F. Doherty, M. Glaser, J. Vaitkus, M. Rahman. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 509, 127 (2003)
- R. Jasiulionis, H. Wershofer. J. Environmental Radioactivity, 79, 157 (2005)
- R. Silberger, C.H. Tsao. Astrophys. J. Suppl. Ser., 25, 315 (1973)
- L. Silver, C.H. Tsao, R. Silberger, T. Kanai, A.F. Barghouty. Phys. Rev. C, 47, 1225 (1993).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук