"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы
Кажукаускас В.1, Ясюленис Р.2, Календра В.1, Вайткус Ю.1
1Кафедра физики полупроводников и Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюсский университет, L Вильнюс, Литва
2Институт физики, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 21 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Исследовалось воздействие облучения детекторов ионизирующего излучения из 4H-SiC различными дозами (до 1016 см-2) протонов с энергией 24 ГэВ. В ядерных реакциях скалывания протонов с углеродом образовались изотопы B, Be, Li, He и H. Изотопы Al, Mg, Na, Ne, F, O и N были образованы в реакциях протонов с кремнием. Полное количество образовавшихся стабильных изотопов изменялось пропорционально дозе облучения от 1.2·1011 до 5.9·1013 см-2. Показано, что при больших дозах облучения значительно изменяются контактные характеристики детекторов. Высота потенциального барьера от изначального значения 0.7-0.75 эВ увеличилась до 0.85 эВ, значительно ухудшились выпрямляющие характеристики контактов Шоттки. Данные эффекты объясняются образованием разупорядоченной структуры материала под облучением. PACS: 61.80.Jh, 72.80.Jc, 85.30.De
  1. Yu.A. Goldberg, M. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. In: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, (N.Y., Wiley, 2001) ch. 5 ( Silicon Carbide), p. 93
  2. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, P.G. Fuochi, P. Vanni. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 792, 611 (2004)
  3. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
  4. Z.-Q. Fang, D.C. Look, A. Saxler, W.C. Mitchel. Physica B, 308--310, 706 (2001)
  5. D.V. Davydov, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. Physica B, 308--310, 641 (2002)
  6. S. Maximenko, S. Soloviev, D. Cherednichenko, T. Sudarshan. Appl. Phys. Lett., 84, 1576 (2004)
  7. M. Tajima, M. Tanaka, N. Hoshino. Mater. Sci. Forum, 389--393, 597 (2002)
  8. N.E. Korsunska, I. Tarasov, V. Kushnirenko, S. Ostapenko. Semicond. Sci. Technol., 19, 833 (2004)
  9. R. Weingartner, P.J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, T.L. Straubinger, A. Winnacker. Appl. Phys. Lett., 80, 70 (2002)
  10. R. Stibal, S. Muller, W. Jantz, G. Pozina, B. Magnusson, A. Ellison. Phys. Status Solidi C, 0 (3), 1013 (2003)
  11. M. Mermoux, A. Crisci, F. Baillet. Mater. Sci. Forum., 433--436, 353 (2003)
  12. S. Ostapenko, Yu.M. Suleimanov, I. Tarasov, S. Lulu, S.E. Saddow. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 381 (2002)
  13. Q. Li, A.Y. Polyakov, M. Skowronski, M.D. Roth, M.A. Fanton, D.W. Snyder. J. Appl. Phys., 96, 411 (2004)
  14. D.M. Martin, H.K. Nielsen, P. Leveque, A. Hallen, G. Alfieri, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett., 84, 1704 (2004)
  15. Y. Negoro, K. Katsumoto, T. Kimoto, H. Matsunami. J. Appl. Phys., 96, 224 (2004)
  16. L. Wang, J. Huang, X. Duo, Z. Song, Ch. Lin, C.-M. Zetterling, M. Ostling. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 1551 (2000)
  17. W. Cunningham, A. Gouldwell, G. Lamb, P. Roy, J. Scott, K. Mathieson, R. Bates, K.M. Smith, R. Cusco, I.M. Watson, M. Glaser, M. Rahman. J. Phys. D, 34, 2748 (2001)
  18. F. Nava, E. Vittone, P. Vanni, P.G. Fuochi, C. Lanzieri. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 514, 126 (2003)
  19. W. Cunningham, J. Melone, M. Horn, V. Kav zukauskas, P. Roy, F. Doherty, M. Glaser, J. Vaitkus, M. Rahman. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 509, 127 (2003)
  20. R. Jasiulionis, H. Wershofer. J. Environmental Radioactivity, 79, 157 (2005)
  21. R. Silberger, C.H. Tsao. Astrophys. J. Suppl. Ser., 25, 315 (1973)
  22. L. Silver, C.H. Tsao, R. Silberger, T. Kanai, A.F. Barghouty. Phys. Rev. C, 47, 1225 (1993).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.