Вышедшие номера
Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы
Кажукаускас В.1, Ясюленис Р.2, Календра В.1, Вайткус Ю.1
1Кафедра физики полупроводников и Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюсский университет, L Вильнюс, Литва
2Институт физики, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 21 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Исследовалось воздействие облучения детекторов ионизирующего излучения из 4H-SiC различными дозами (до 1016 см-2) протонов с энергией 24 ГэВ. В ядерных реакциях скалывания протонов с углеродом образовались изотопы B, Be, Li, He и H. Изотопы Al, Mg, Na, Ne, F, O и N были образованы в реакциях протонов с кремнием. Полное количество образовавшихся стабильных изотопов изменялось пропорционально дозе облучения от 1.2·1011 до 5.9·1013 см-2. Показано, что при больших дозах облучения значительно изменяются контактные характеристики детекторов. Высота потенциального барьера от изначального значения 0.7-0.75 эВ увеличилась до 0.85 эВ, значительно ухудшились выпрямляющие характеристики контактов Шоттки. Данные эффекты объясняются образованием разупорядоченной структуры материала под облучением. PACS: 61.80.Jh, 72.80.Jc, 85.30.De