"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура и электрофизические свойства поликристаллических пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения
Чистохин И.Б.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Изучены структурные и электрофизические свойства поликристаллических пленок Si0.5Ge0.5 толщиной 150 нм, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения при температурах 200-550oC на подложках кремния, покрытых аморфными слоями оксинитрида кремния. Установлено, что пленки представляют собой смесь аморфной и поликристаллической фаз. Доля аморфной фазы уменьшается от ~50% в пленках, осажденных при 200oC, до нуля в пленках, выращенных при 550oC. Последующий отжиг при температуре 550oC в течение 1 ч приводит к полной твердофазной кристаллизации всех пленок. Электронный транспорт носителей заряда в поликристаллических пленках реализуется по термоактивационному механизму, связанному с энергетическим барьером ~0.2 эВ на межзеренных границах. Понижение барьера при дополнительном отжиге пленок SiGe коррелирует с увеличением среднего размера зерен. PACS: 61.72.Mm, 72.80.Ng, 73.61.Le
  1. T. Ishikava, M. Ueno, K. Endo, Y. Nakaki, H. Hata, T. Sone, M. Kimata, T. Ozeki. Proc. SPIE, 3698, 556 (1999)
  2. C. Chen, Y. Xinjian, X. Zhao, B. Xiong. Sensors Actuators, A90, 212 (2001)
  3. J.S. Shie, P.K. Weng. Sensors Actuators, A33, 182 (1992)
  4. J.L. Tissot, F. Rothan, C. Vedel, M. Vilain, J.J. Yon. Proc. SPIE, 3379, 139 (1998)
  5. S. Sedky, P. Fiorini, M. Caymax, A. Verbist, C. Baert. Sensors Actuators, A66, 193 (1998)
  6. L. Dong, R. Yue, L. Liu. Sensors Actuators, A105, 286 (2003).
  7. Л. Казмерски. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: Физика и применения (М., Мир, 1983) с. 110. [Пер. а англ.: Polycrystalline and amorphous thin films and devices, ed. by L. Kazmerski (N.Y.--London--Toronto--Sidney--San Francisco, Academic Press, 1980)]
  8. J.W. Tringle, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 87, 7913 (2000)
  9. S. Sedky, P. Fiorini, K. Baert, L. Herman, R. Mertens. IEEE Trans. Electron Dev., 46, 675 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.