Влияние искривления энергетических зон на термоэдс в биполярных полупроводниках
Конин А.1
1Институт физики полупроводников, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 23 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
Развита теория термоэдс в биполярных полупроводниках, учитывающая реальные граничные условия на металлических контактах и искривление энергетических зон у поверхностей образца. Показано, что поверхностный потенциал может существенно менять величину термоэдс при определенных параметрах поверхности и толщине полупроводника. PACS: 72.15.Jf, 72.20.Jv, 73.20.At
- Yu.G. Gurevich, O. Yu. Titov, G.N. Logvinov, O.I. Liubimov. Phys. Rev. B, 51, 6999 (1995)
- Yu.G. Gurevich. J. Thermoelectricity, 2, 5 (1997)
- Yu.G. Gurevich, G.N. Logvinov, I.N. Volovichev, G. Espejo, O.Yu. Titov, A. Meriuts. Phys. Status Solidi B, 231, 278 (2002)
- Yu.G. Gurevich, A. Ortiz. Rev. Mexic. Fisica, 49, 115 (2003)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
- Г.П. Пека. Физические являения на поверхности полупроводников (Киев, Вища шк., 1984)
- Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., Наука, 1984)
- И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35, 321 (2001)
- M. Krv cmar, W.M. Saslow. Phys. Rev. B, 65, 233313-1 (2002)
- A. Konin. Lithuan. J. Phys., 46, (2006) (in press)
- A. Konin. Lithuan. J. Phys., 45, 373 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук