"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квадратичная рекомбинация в кремнии и ее влияние на объемное время жизни
Саченко А.В.1, Горбань А.П.1, Костылев В.П.1, Соколовский И.О.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Из сравнения теоретического выражения для зависимости эффективного объемного времени жизни от уровня легирования с экспериментальной зависимостью найден коэффициент безызлучательной экситонной рекомбинации по механизму Оже с участием глубоких центров в кремнии n-типа проводимости. Показано, что данный механизм определяет объемное время жизни в кремнии при уровнях легирования порядка или больше 1016 см-3 и проявляется тем сильнее, чем меньше объемное время жизни при низком уровне легирования tauv0. Получены расчетные зависимости биполярной длины диффузии в n-кремнии от уровня легирования, параметром которых является величина tauv0. PACS: 71.55 Cn, 72.20 Jv
  1. В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.Б. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Сов. радио, 1977)
  2. А. Блихер. Физика силовых приборов и транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)
  3. A. Hangleiter. Phys. Rev. B, 35 (17), 9149 (1987)
  4. A. Hangleiter. Phys. Rev. B, 37 (5), 2594 (1988)
  5. A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3 (1), 5 (2000)
  6. E. Yablonovitch, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 49 (10), 587 (1986)
  7. S.K. Pang, A. Rohatgi. Appl. Phys. Lett., 59 (2), 195 (1991)
  8. А.П. Горбань, В.П. Костылев, А.В. Саченко, А.А. Серба, И.О. Соколовский. УФЖ, 34 (6), 645 (2000)
  9. J.G. Fossum. Sol. St. Electron., 19 (4), 269 (1976)
  10. T. Trupke, M.A. Green, P. Wurfel, P.P. Altermatt, A. Wang, J. Zhao, R. Corkish. J. Appl. Phys., 94 (8), 4930 (2003)
  11. A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3 (2), 150 (2000)
  12. G. Augustine, A. Rohatgi, N.M. Jokerst. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-39 (1), 2395 (1992)
  13. A. Hangleiter, R. Hacker. Phys. Rev. Lett., 65 (2), 215 (1990)
  14. E. Yablonovitch, D.L. Allara, C.C. Chang, T. Gmitter, T.B. Bright. Phys. Rev. Lett., 57 (1), 249 (1986)
  15. J. Schmidt, M. Kerr, P.P. Altermatt. J. Appl. Phys., 86, 1494 (2000)
  16. J. Dziewior, D. Silber. Appl. Phys. Lett., 35 (2), 170 (1979)
  17. W.P. Mullidan, D.H. Rose, M.J. Cugsinovic, D.M. De Ceuster, K.R. McIntosh, D.D. Smith, R.M. Swanson. Proc. 19th Photovoltaic Solar Energy Conference (Paris, 2004) p. 387

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.