Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поведение германия, имплантированного в SiO₂ вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе

Тысченко И.Е.¹, Фёльсков М.², Черков А.Г.¹, Попов В.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия

Поступила в редакцию: 3 августа 2006 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы свойства германия, имплантированного в слои SiO₂ вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе. Показано, что в условиях высокотемпературного отжига (1100^oC) не происходит формирования нанокристаллов германия, а имплантированные атомы Ge сегрегируют к границе сращивания Si/SiO₂. Установлено, что атомы Ge при этом размещаются в позициях, когерентных с решеткой отсеченного слоя кремния. Основным типом ловушек в этом случае являются ловушки положительного заряда, их действие объясняется в рамках увеличения плотности поверхностных состояний за счет формирования более слабых связей Ge-O. Обнаружено увеличение наклона сток-затворных характеристик тыловых МДП транзисторов, которое объясняется возрастающей подвижностью дырок за счет вклада промежуточного слоя германия, формирующегося на границе Si/SiO₂. PACS: 61.72.Ww, 73.40.Qv, 81.20.-n, 85.30.Tv

H.A. Atwater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 321, 363 (1994)
W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
W.K. Choi, W.K. Chim, C.L. Heng, L.W. Teo, V. Ho, V. Ng, D.A. Antoniadis, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 80, 2014 (2002)
T.H. Ng, W.K. Chim, W.K. Choi. Appl. Phys. Lett., 88, 113 112 (2006)
S.-H. Choj, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 75, 968 (1999)
B. Mrstik, H.L. Hughes, P.J. McMarr, R.K. Lawrence, D.I. Ma, I.P. Isaacson, R.A. Walker. IEEE Trans. Nucl. Sci., 47, 2189 (2000)
T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 94, 2575 (2001)
A.N. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. J. Appl. Phys., 94, 4440 (2003)
J. von Borany, R. Grotzschel, K.-H. Heining, A. Markwitz, W. Matz, B. Schmidt, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 71, 3215 (1997)
L. Rebohle, I.E. Tyschenko, J. von Borany, B. Schmidt, R. Grotzschel, A. Markwitz, R.A. Yankov, H. Frob, W. Skorupa. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 486, 175 (1998)
E.S. Marstein, A.E. Gunna-1.8ptes, A. Olsen, T.G. Finstad, R. Turan, U. Serincan. J. Appl. Phys., 96, 4308 (2004)
D. Fathy, O.W. Holland, C.W. White. Appl. Phys. Lett., 51, 1337 (1987)
B. Schmidt, D. Grambole, F. Herrmann. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 191, 482 (2002)
M.V. Fischetti. J. Appl. Phys., 57, 2860 (1985)
V.A. Gritsenko, A.V. Shaposhnikov, Yu.N. Novikov, A.P. Baraban, H. Wong, G.M. Zhidomirov, M. Roger. Microelectron. Reliability, 43, 665 (2003)
Интегральные схемы на МДП-приборах, под ред. А.Н. Карамзинского (М., Мир, 1975) с. 528. [Пер. с англ.: MOS Integrated Circuits, ed. by W.M. Penney, L. Lau (Microelectronics Series, Van Nostrand Reinhold Company, N. Y.--Cincinnati--Toronto--London--Melbourne, 1972)]
K.S. Min, K.V. Shcheglov, C.M. Yang, Harry A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 68, 2511 (1996).
V.P. Popov, A.K. Gutakovskii, L.N. Safronov, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.I. Obodnikov, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, A. Romano-Rodrigues, A. Bachrouri. Progress in SOI Structures and Devices Operation at Extreme Conditions, ed. by F. Balestra, A. Nazarov and S. Lysenko (Kulwer Academic Publishers, Netherlands, 2002) p. 269.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель