Вышедшие номера
Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе
Тысченко И.Е.1, Фёльсков М.2, Черков А.Г.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 3 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Исследованы свойства германия, имплантированного в слои SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе. Показано, что в условиях высокотемпературного отжига (1100oC) не происходит формирования нанокристаллов германия, а имплантированные атомы Ge сегрегируют к границе сращивания Si/SiO2. Установлено, что атомы Ge при этом размещаются в позициях, когерентных с решеткой отсеченного слоя кремния. Основным типом ловушек в этом случае являются ловушки положительного заряда, их действие объясняется в рамках увеличения плотности поверхностных состояний за счет формирования более слабых связей Ge-O. Обнаружено увеличение наклона сток-затворных характеристик тыловых МДП транзисторов, которое объясняется возрастающей подвижностью дырок за счет вклада промежуточного слоя германия, формирующегося на границе Si/SiO2. PACS: 61.72.Ww, 73.40.Qv, 81.20.-n, 85.30.Tv