"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе
Тысченко И.Е.1, Фёльсков М.2, Черков А.Г.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 3 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Исследованы свойства германия, имплантированного в слои SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе. Показано, что в условиях высокотемпературного отжига (1100oC) не происходит формирования нанокристаллов германия, а имплантированные атомы Ge сегрегируют к границе сращивания Si/SiO2. Установлено, что атомы Ge при этом размещаются в позициях, когерентных с решеткой отсеченного слоя кремния. Основным типом ловушек в этом случае являются ловушки положительного заряда, их действие объясняется в рамках увеличения плотности поверхностных состояний за счет формирования более слабых связей Ge-O. Обнаружено увеличение наклона сток-затворных характеристик тыловых МДП транзисторов, которое объясняется возрастающей подвижностью дырок за счет вклада промежуточного слоя германия, формирующегося на границе Si/SiO2. PACS: 61.72.Ww, 73.40.Qv, 81.20.-n, 85.30.Tv
  1. H.A. Atwater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 321, 363 (1994)
  2. W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
  3. L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
  4. W.K. Choi, W.K. Chim, C.L. Heng, L.W. Teo, V. Ho, V. Ng, D.A. Antoniadis, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 80, 2014 (2002)
  5. T.H. Ng, W.K. Chim, W.K. Choi. Appl. Phys. Lett., 88, 113 112 (2006)
  6. S.-H. Choj, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 75, 968 (1999)
  7. B. Mrstik, H.L. Hughes, P.J. McMarr, R.K. Lawrence, D.I. Ma, I.P. Isaacson, R.A. Walker. IEEE Trans. Nucl. Sci., 47, 2189 (2000)
  8. T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 94, 2575 (2001)
  9. A.N. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. J. Appl. Phys., 94, 4440 (2003)
  10. J. von Borany, R. Grotzschel, K.-H. Heining, A. Markwitz, W. Matz, B. Schmidt, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 71, 3215 (1997)
  11. L. Rebohle, I.E. Tyschenko, J. von Borany, B. Schmidt, R. Grotzschel, A. Markwitz, R.A. Yankov, H. Frob, W. Skorupa. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 486, 175 (1998)
  12. E.S. Marstein, A.E. Gunna-1.8ptes, A. Olsen, T.G. Finstad, R. Turan, U. Serincan. J. Appl. Phys., 96, 4308 (2004)
  13. D. Fathy, O.W. Holland, C.W. White. Appl. Phys. Lett., 51, 1337 (1987)
  14. B. Schmidt, D. Grambole, F. Herrmann. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 191, 482 (2002)
  15. M.V. Fischetti. J. Appl. Phys., 57, 2860 (1985)
  16. V.A. Gritsenko, A.V. Shaposhnikov, Yu.N. Novikov, A.P. Baraban, H. Wong, G.M. Zhidomirov, M. Roger. Microelectron. Reliability, 43, 665 (2003)
  17. Интегральные схемы на МДП-приборах, под ред. А.Н. Карамзинского (М., Мир, 1975) с. 528. [Пер. с англ.: MOS Integrated Circuits, ed. by W.M. Penney, L. Lau (Microelectronics Series, Van Nostrand Reinhold Company, N. Y.--Cincinnati--Toronto--London--Melbourne, 1972)]
  18. K.S. Min, K.V. Shcheglov, C.M. Yang, Harry A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 68, 2511 (1996).
  19. V.P. Popov, A.K. Gutakovskii, L.N. Safronov, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.I. Obodnikov, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, A. Romano-Rodrigues, A. Bachrouri. Progress in SOI Structures and Devices Operation at Extreme Conditions, ed. by F. Balestra, A. Nazarov and S. Lysenko (Kulwer Academic Publishers, Netherlands, 2002) p. 269.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.