Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 24 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
Исследовано влияние толщины буферного слоя собственного оксида селенида галлия на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетеропереходов ITO-GaSe. Установлено, что введение слоя Ga2O3 толщиной до 5-6 нм в гетеропереход ITO-GaSe приводит к изменению механизмов токопрохождения в структуре, увеличению напряжения холостого хода Voc более чем в 2 раза (при этом реализуется ситуация, когда Voc значительно превышает величину контактной разности потенциалов), возрастанию интенсивности электролюминесценции более чем на порядок, а также к увеличению кпд фотопреобразования более чем в 2 раза по сравнению с образцами, в которых слой Ga2O3 специально не выращивался. PACS: 74.40.Lq, 72.40.+w, 78.60.Fi
- С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. Письма ЖТФ, 27 (18), 1 (2001)
- V.A. Manasson, Z.D. Kovalyuk, S.I. Drapak, V.N. Katerinchuk. Electron. Lett., 26 (10), 664 (1990)
- А.Г. Кязым-Заде, Р.Н. Мехтиева, А.А. Ахмедов. ФТП, 25 (8), 1392 (1991)
- С.И. Драпак, М.О. Воробец, З.Д. Ковалюк. ФТП, 39 (5), 633 (2005)
- С.И. Драпак, М.О. Воробец. УФЖ, 51 (1), 39 (2006)
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology New. Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics, 17, sv.f / ed. by O. Madelung (Berlin, Springer, 1983)
- А.Я. Вуль, А.В. Саченко. ФТП, 17 (8), 1361 (1983)
- Y. Ohtake, S. Cheisitsak, A. Yamada, M. Konagai. Jap. J. Appl. Phys., 37 (6), 3220 (1998)
- Г.Г. Карева, М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин. ФТП, 36 (8), 953 (2002)
- H. Iwakuro, C. Tatsuyama, S. Ichimura. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1), 94 (1984)
- V.P. Savchyn, V.B. Kytsai. Thin Sol. Films, 361--362 (1--2), 123 (2000)
- O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, V.O. Yukhymchuk. Semicond. Sci. Technol., 17 (1), L1 (2002)
- T. Hariu, S. Sasaki, H. Adachi, Y. Shibata. Jpn. J. Appl. Phys., 16 (8), 841 (1977)
- O.A. Balitskii. Mater. Lett., 60 (5), 594 (2006)
- В.А. Манассон, А.И. Малик, К.Д. Товстюк. ФТП, 18 (12), 2121 (1984)
- А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, В.Д. Давыдов. ФТП, 34 (1), 113 (2000)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18 (8), 1472 (1984)
- В.А. Манассон, А.И. Малик. ПТЭ, 2, 190 (1981)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М.: Мир, 1984) т. 2. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, A Willey--Interscience Publication, 1981) v. 2]
- П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
- Ю.П. Гнатенко, З.Д. Ковалюк, П.А. Скубенко, Ю.И. Жирко. ФТТ, 25 (2), 445 (1983)
- Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, A.I. Savchuk, O.M. Sydor. Mater. Sci. Eng. B, 109 (1--3), 252 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
