"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe
Драпак С.И.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Исследовано влияние толщины буферного слоя собственного оксида селенида галлия на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетеропереходов ITO-GaSe. Установлено, что введение слоя Ga2O3 толщиной до 5-6 нм в гетеропереход ITO-GaSe приводит к изменению механизмов токопрохождения в структуре, увеличению напряжения холостого хода Voc более чем в 2 раза (при этом реализуется ситуация, когда Voc значительно превышает величину контактной разности потенциалов), возрастанию интенсивности электролюминесценции более чем на порядок, а также к увеличению кпд фотопреобразования более чем в 2 раза по сравнению с образцами, в которых слой Ga2O3 специально не выращивался. PACS: 74.40.Lq, 72.40.+w, 78.60.Fi
  1. С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. Письма ЖТФ, 27 (18), 1 (2001)
  2. V.A. Manasson, Z.D. Kovalyuk, S.I. Drapak, V.N. Katerinchuk. Electron. Lett., 26 (10), 664 (1990)
  3. А.Г. Кязым-Заде, Р.Н. Мехтиева, А.А. Ахмедов. ФТП, 25 (8), 1392 (1991)
  4. С.И. Драпак, М.О. Воробец, З.Д. Ковалюк. ФТП, 39 (5), 633 (2005)
  5. С.И. Драпак, М.О. Воробец. УФЖ, 51 (1), 39 (2006)
  6. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology New. Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics, 17, sv.f / ed. by O. Madelung (Berlin, Springer, 1983)
  7. А.Я. Вуль, А.В. Саченко. ФТП, 17 (8), 1361 (1983)
  8. Y. Ohtake, S. Cheisitsak, A. Yamada, M. Konagai. Jap. J. Appl. Phys., 37 (6), 3220 (1998)
  9. Г.Г. Карева, М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин. ФТП, 36 (8), 953 (2002)
  10. H. Iwakuro, C. Tatsuyama, S. Ichimura. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1), 94 (1984)
  11. V.P. Savchyn, V.B. Kytsai. Thin Sol. Films, 361--362 (1--2), 123 (2000)
  12. O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, V.O. Yukhymchuk. Semicond. Sci. Technol., 17 (1), L1 (2002)
  13. T. Hariu, S. Sasaki, H. Adachi, Y. Shibata. Jpn. J. Appl. Phys., 16 (8), 841 (1977)
  14. O.A. Balitskii. Mater. Lett., 60 (5), 594 (2006)
  15. В.А. Манассон, А.И. Малик, К.Д. Товстюк. ФТП, 18 (12), 2121 (1984)
  16. А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, В.Д. Давыдов. ФТП, 34 (1), 113 (2000)
  17. Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18 (8), 1472 (1984)
  18. В.А. Манассон, А.И. Малик. ПТЭ, 2, 190 (1981)
  19. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М.: Мир, 1984) т. 2. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, A Willey--Interscience Publication, 1981) v. 2]
  20. П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
  21. Ю.П. Гнатенко, З.Д. Ковалюк, П.А. Скубенко, Ю.И. Жирко. ФТТ, 25 (2), 445 (1983)
  22. Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, A.I. Savchuk, O.M. Sydor. Mater. Sci. Eng. B, 109 (1--3), 252 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.