Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC

Лебедев А.А.¹, Зеленин В.В.¹, Абрамов П.Л.¹, Богданова Е.В.¹, Лебедев С.П.¹, Нельсон Д.К.¹, Разбирин Б.С.¹, Щеглов М.П.¹, Трегубова А.С.¹, Suvajarvi M.², Yakimova R.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden

Department of Physics, Chemistry and Biology, Linköping University, Linköping, Sweden

Поступила в редакцию: 15 августа 2006 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Эпитаксиальные слои 3C-SiC толщиной до 100 мкм были получены методом сублимационной эпитаксии на гексагональных подложках 6H-SiC. Площадь выращенных слоев составляла 0.3-0.5 см². Максимальные скорости роста достигали 200 мкм/ч. Были получены эпитаксиальные слои n-типа проводимости с концентрацией нескомпенсинованных доноров N_d-N_a~(10¹⁷-10¹⁸) см^-3. Рентгеновские исследования показали, что эпитаксиальный слой состоит из политипа 3C-SiC, без включений других политипов. В спектре фотолюминесценции преобладала донорно-акцепторая рекомбинация (Al-N) с энергией максимума полосы hnu~2.12 эВ. Представлен подробный анализ спектра фотолюминесценции, полученного при 6 K. Сделан вывод, что данные эпитаксиальные слои могут быть использованы как подложки для создания приборов на основе 3C-SiC. PACS: 61.50.Nw, 73.61.Le, 78.55.Hx, 81.05.Hd, 81.15.Ef

A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.V. Kozlovskii, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338--342, 221 (2000)
А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, В.А. Соловьев, Н.К. Полетаев. ФТП, 37, 499 (2003)
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. Eng., B77, 50 (2000)
A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. Technol., 124 (2), 241 (1977)
Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
Kuwabara, H., K. Yamanaka, S. Yamada. Phys. Status Solidi A, 37, K157 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель