Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC
Лебедев А.А.1, Зеленин В.В.1, Абрамов П.Л.1, Богданова Е.В.1, Лебедев С.П.1, Нельсон Д.К.1, Разбирин Б.С.1, Щеглов М.П.1, Трегубова А.С.1, Suvajarvi M.2, Yakimova R.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden
Поступила в редакцию: 15 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
Эпитаксиальные слои 3C-SiC толщиной до 100 мкм были получены методом сублимационной эпитаксии на гексагональных подложках 6H-SiC. Площадь выращенных слоев составляла 0.3-0.5 см2. Максимальные скорости роста достигали 200 мкм/ч. Были получены эпитаксиальные слои n-типа проводимости с концентрацией нескомпенсинованных доноров Nd-Na~(1017-1018) см-3. Рентгеновские исследования показали, что эпитаксиальный слой состоит из политипа 3C-SiC, без включений других политипов. В спектре фотолюминесценции преобладала донорно-акцепторая рекомбинация (Al-N) с энергией максимума полосы hnu~2.12 эВ. Представлен подробный анализ спектра фотолюминесценции, полученного при 6 K. Сделан вывод, что данные эпитаксиальные слои могут быть использованы как подложки для создания приборов на основе 3C-SiC. PACS: 61.50.Nw, 73.61.Le, 78.55.Hx, 81.05.Hd, 81.15.Ef
- A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
- D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.V. Kozlovskii, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338--342, 221 (2000)
- А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, В.А. Соловьев, Н.К. Полетаев. ФТП, 37, 499 (2003)
- N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. Eng., B77, 50 (2000)
- A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. Technol., 124 (2), 241 (1977)
- Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
- Kuwabara, H., K. Yamanaka, S. Yamada. Phys. Status Solidi A, 37, K157 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
