"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Увеличение подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла
Гуляев Ю.В.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 24 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Эффективная подвижность электронов mu* в инверсионном n-канале полевого транзистора значительно возрастает после объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла от типичных значений =~820 до величин =~ 2645 cм2B-1c-1, превышающих подвижность электронов в массивном Si. После поляризации слоевая плотность ионов Na+ у гетерограницы SiO2/Si превышает 6· 1013 см-2. Ионы практически полностью нейтрализованы электронами канала инверсии. С уменьшением температуры T в диапазоне 293-203 K mu* увеличивается по закону mu* propto T-0.82. Наблюдаемая зависимость mu*(T), по-видимому, обусловлена комбинированным рассеянием электронов на шероховатостях поверхности раздела Si/SiO2, на фононах и на пограничных состояниях. Деполяризация окисла возвращает mu* к исходной величине. Аномально высокие значения mu* считаются либо следствием возникновения в поверхностном слое Si из-за поляризации окисла сильных структурных напряжений, либо результатом фазовой перестройки области инверсионного канала вследствие гибридизации волновых функций электронов, локализованных на ионах Na+, с волновыми функциями электронов канала инверсии. PACS: 85.30.Pq, 73.63.-b
  1. E.H. Snow, A.S. Grove, B.E. Deal, C.T. Sah. J. Appl. Phys., 36, 1664 (1965)
  2. S. Kimura, H. Ikoma. J. Appl. Phys., 85, 551 (1999)
  3. W.S. Kwan, C.H. Chen, M.J. Deen. J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 765 (2000)
  4. J. Maier. Phys. Chem., 217, 415 (2003)
  5. W.L. Warren, D.M. Fleetwood, J.R. Schwank, M.R. Shaneyfelt, B.L. Draper, P.S. Winokur, M.G. Knoll, K. Vanheusden, R.A.B. Devine, L.B. Archer, R.M. Wallace. IEEE Trans. Nucl. Sci., 44, 1789 (1997)
  6. A. Hartstein, A.B. Fowler. Surf. Sci., 73, 19 (1978)
  7. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metall Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., 1982)
  8. Е.И. Гольдман, А.Н. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  9. Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. Препринт ИРЭ РАН N 46 [418] (M., 1990)
  10. Е.И. Гольдман, В.А. Иванов. Препринт ИРЭ РАН N 22 [551] (M., 1984)
  11. J.R. Schrieffer. Phys. Rev., 97, 641 (1955)
  12. Ф. Стерн. В сб.: Новое в исследовании поверхности твердого тела (М., Мир, 1977) вып. 2
  13. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП- транзисторов (М., Техносфера, 2002) ч. 1
  14. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  15. Под ред. А.В. Ржанова. Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник (М., Наука, 1976)
  16. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  17. J. Koga, T. Ishihara, S. Takagi. Jpn. J. Appl. Phys., 43, 1699 (2004)
  18. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 34, 677 (2000)
  19. E.I. Goldman, A.G. Zhdan, G.V. Chucheva. J. Appl. Phys., 89, 130 (2001)
  20. M.V. Fischetti, F. Gamiz, W. Hansch. J. Appl. Phys., 92, 7320 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.