"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной области
Сизов В.С.1, Сизов Д.С.1, Михайловский Г.А.1, Заварин Е.Е.1, Лундин В.В.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

Исследовались структуры на основе GaN с квантовыми точками InGaN в активной области, излучающие в синем и зеленом диапазонах света. Сравнивались структуры, выращенные как традиционным способом, так и с применением специальных методик выращивания активной области. Применение таких специальных режимов роста стимулирует активированный фазовый распад, приводящий к образованию квантовых точек с существенно большей глубиной локализации электронов. Показано, что образование таких глубоких квантовых точек, так же как и образование более крупных неоднородностей активной области, существенно подавляет латеральный транспорт носителей. Это улучшает характеристики светодиодных структур при малом уровне инжекции, а также увеличивает температурную стабильность квантовой эффективности. PACS: 85.60.Th, 68.55.Bd, 78.67.Hc, 85.60.Dm, 78.55.-m, 85.42.+m, 72.40.+w
  1. T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
  2. F. Scholtz, et al. Proc. 7th Eur. Workshop EW MOVPE" (Berlin, June 8-11, 1997) paper G0
  3. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, T. Maka, C.M. Sotomayor. Nanotechnology, 11 (4), 309 (2000)
  4. I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 66, 155 310 (2002)
  5. C.K. Choi, Y.H. Kwon, B.D. Little, G.H. Gainer, J.J. Song, Y.C. Chang, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Phys. Rev. B, 64, 245 339 (2001)
  6. Yukio Narukawa, Shin Saijou, Yoichi Kawakami, Shigeo Fujita. Appl. Phys. Lett., 74, 558 (1999).
  7. D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, A.M. Araktcheeva, N.N. Ledentsov. Proc. Int. Conf. (Minsk, Belarus, May 24-27, 2005) to be published
  8. D.S. Sizov, V.S. Sizov, A.I. Besulkin, A.V. Fomin, V.V. Lundin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov. Proc. 12th Int. Symp. Nanostructures. Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 21-25, 2004)
  9. D.S. Sizov, V.S. Sizov, A.V. Fomin, V.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov. Proc. 7th Int. Conf. PHOTONICS 2004" (Kochin, India, Dec. 9-11, 2004)
  10. P.G. Eliseev, J. Appl. Phys., 93, 5404 (2003)
  11. A. Reznitsky et al. Proc. 13th Int. Symp. Nanostructures. Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 19-25, 2005) to be published
  12. D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry, M.E. Twigg, J.C. Culbertson, R.J. Gorman. MRS Internet. J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G3.70 (1999)
  13. D.S. Sizov, V.S. Sizov, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Vlasov, N.N. Ledentsov. Proc. 13th Int. Symp. Nanostructures. Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 19-25, 2005) to be published
  14. Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 39 (2), 264 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.