"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs
Блохин С.А.1, Малеев Н.А.1, Кузьменков А.Г.1, Шерняков Ю.М.1, Новиков И.И.1, Гордеев Н.Ю.1, Дюделев В.В.1, Соколовский Г.С.1, Кучинский В.И.1, Кулагина М.М.1, Максимов М.В.1, Устинов В.М.1, Ковш А.Р.2, Михрин С.С.2, Леденцов Н.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
Поступила в редакцию: 27 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры вертикально-излучающих лазеров с активной областью на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs и легированными распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs / GaAs. Показана работа одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 980 нм с диаметром токовой апертуры 3 мкм, пороговым током 0.6 мА, максимальной выходной мощностью до 4 мВт и внешней дифференциальной эффективностью 68%. Многомодовые вертикально-излучающие лазеры с диаметром апертуры 10-12 мкм обладают сверхнизкими внутренними оптическими потерями (0.09% на один проход фотона), что сравнимо с лучшими результатами для лазеров такого типа с нелегированными распределенными брэгговскими отражателями. PACS: 42.55.Px, 78.67.He
  1. C.W. Wilmsen, H. Temkin, L.A. Coldren. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Cambridge University Press, 1999)
  2. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (Oxford University Press, 2003)
  3. V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov. Phys. Status Solidi A, 202, 396 (2005)
  4. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh. M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36, 1384 (2000)
  5. J.K. Kim, R.L. Naone, L.A. Coldren. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 6, 504 (2000)
  6. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 1845 (1999)
  7. S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, D.A. Livshits, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. 26th Int. Conf. Phys. Semicond. (Edinburgh, UK, 2002) paper L2.3
  8. A. Bond, P.D. Dapkus, J.D. O'Brien. IEEE Photon. Technol. Lett., 10, 13 627 (1998)
  9. Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, С.С. Михрин, А.Г. Кузьменков. Д.А. Бедарев, Ю.М. Задиранов, М.А. Кулагина, Ю.М. Шерняков, А.С. Шуленков, В.А. Быковский, Ю.М. Соловьев, C. Moller, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37, 1265 (2003)
  10. С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.В. Сахаров, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, Д.А. Бедарев, Е.В. Никитина, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 39, 782 (2005)
  11. P.D. Floyd, B.J. Thibeault, E.R. Hegblom, J. Ko, L.A. Coldren, J.L. Merz. IEEE Photon. Technol. Lett., 5, 590 (1996)
  12. E.R. Hegblom, D.I. Babic, B.J. Thibeault, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 68, 1757 (1996)
  13. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
  14. T. Makino, J.D. Evans, G. Mak. Appl. Phys. Lett., 71, 2871 (1997)
  15. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)
  16. M. Jungo, F.M. di Sopra, D. Erni, W. Baechtold. J. Appl. Phys., 91, 5550 (2002)
  17. G.M. Yang, M.H. MacDugal, V. Pudikov, P.D. Dapkus. IEEE Photon. Technol. Lett., 7, 1228 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.