Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 11 » Статья стр. 1263
<<<>>>
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46580.02
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110234
Румянцев В.В.1,2, Куликов Н.С.1,2, Кадыков А.М.1, Фадеев М.А.1, Иконников А.В.3, Казаков А.С.3, Жолудев М.С.1, Алешкин В.Я.1,2, Уточкин В.В.1,2, Михайлов Н.Н.4,5, Дворецкий С.А.5, Морозов С.В.1,2, Гавриленко В.И.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
PDF версия
В квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe, получено стимулированное излучение в диапазоне длин волн 20.3-17.4 мкм на межзонных переходах при T=8-50 K. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон длин волн 25-60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантовых каскадных лазеров. Показано, что максимальная температура, до которой возможно получение стимулированного излучения, определяется положением "боковых" максимумов на дисперсионных зависимостях в первой валентной подзоне квантовой ямы, и обсуждаются способы подавления безызлучательной рекомбинации в структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe.
  1. M.S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, P. De Natale. Opt. Express, 23 (4), 5167 (2015)
  2. M.F. Anwar, T.W. Crowe, T. Manzur, W. Terashima, H. Hirayama. Proc. SPIE, 9483, 948304 (2015)
  3. K.V. Maremyanin, V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, L.S. Bovkun, E.G. Chizhevskii, I.I. Zasavitskii, V.I. Gavrilenko. Semiconductors, 50 (12), 1669 (2016)
  4. J. Dimmock, I. Melngailis, A. Strauss. Phys. Rev. Lett., 16 (26), 1193 (1966)
  5. И.И. Засавицкий. Тр. ФИАН, 224, 3 (1993)
  6. V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (North-Holland, Elsevier Science Publishers, 1991)
  7. G. Alymov, D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, A. Satou. arXiv p. 1709.09015 (2018)
  8. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.C. Zhang. Science, 314 (5806), 1757 (2006)
  9. A.M. Kadykov, J. Torres, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, S. Ruffenach, M. Marcinkiewicz, D. But, W. Knap, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe. Appl. Phys. Lett., 108 (26), 262102 (2016)
  10. V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Opto-Electronics Rev., 11 (2), 99 (2003)
  11. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104 (7), 072102 (2014)
  12. V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, A.V. Antonov, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semicond. Sci. Technol., 28 (12), 125007 (2013)
  13. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 105 (2), 022102 (2014)
  14. S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Materials, 5 (3), 035503 (2017)
  15. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 111 (19), 192101 (2017)
  16. J. Bleuse, J. Bonnet-Gamard, G. Mula, N. Magnea, P. Jean-Louis. J. Cryst. Growth, 197 (3), 529 (1999)
  17. J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, J. Singh. Semicond. Sci. Techn., 8 (1S), S255 (1993)
  18. В.В. Румянцев, А.М. Фадеев, А.А. Дубинов, В.В. Уточкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко. ФТП, 51 (12), 1616 (2017)
  19. Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, В.Г. Ремесник, В.А. Швец, И.Н. Ужаков. Матер. XXII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (12-15 марта 2018, Нижний Новгород)
  20. J. Shao, W. Lu, X. Lu, F. Yue, Z. Li, S. Guo, J. Chu. Rev. Sci. Instrum., 77 (6), 063104 (2006)
  21. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 108 (9), 092104 (2016)
  22. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.E. Kudryavtsev, D.I. Kuritsin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 107 (4), 042105 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme