Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 11 » Статья стр. 1268
<<<>>>
Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46581.03
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110118
РФФИ , А, 17-02-00070
РФФИ , 18-52- 00011 Бел_а
БРФФИ, Ф18Р–107
РНФ, 18-19-00493
Хабибуллин Р.А. 1, Щаврук Н.В.1, Пономарев Д.С.1, Ушаков Д.В.2, Афоненко А.А.2, Васильевский И.С.3, Зайцев А.А4, Данилов А.И.5, Волков О.Ю.6, Павловский В.В.6, Маремьянин К.В.7, Гавриленко В.И.7
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
5"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
6Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
7Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: khabibullin@isvch.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
PDF версия
Предложена конструкция активной области квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот на основе трех туннельно-связанных квантовых ям GaAs/Al0.15Ga0.85As c резонансно-фононным дизайном. Рассчитаны уровни энергии, матричные элементы дипольных переходов и спектры усиления в зависимости от напряженности приложенного электрического поля F и температуры. Показано, что максимальное усиление реализуется на частоте 3.37 ТГц при F=12.3 кВ/см. На основе предложенной конструкции изготовлен квантово-каскадный лазер с двойным металлическим волноводом, излучающий на частоте ~3.3 ТГц при Tmax~84 K. Из зависимости выходной мощности от температуры определена энергия активации E_a=23 мэВ испускания LO-фононов при рекомбинации электронов с верхнего лазерного уровня на нижний.
  1. X. Wang, C. Shen, T. Jiang, Z. Zhan, Q. Deng, W. Li, W. Wu, N. Yang, W. Chu, S. Duan. AIP Adv., 6 (7), 075210 (2016)
  2. Q. Qin, J.L. Reno, Q. Hu. Optics Lett., 36 (5), 692 (2011)
  3. J.R. Gao, J.N. Hovenier, Z.Q. Yang, J.J.A. Baselmans, A. Baryshev, M. Hajenius, T.M. Klapwijk, A.J.L. Adam, T.O. Klaassen, B.S. Williams, S. Kumar, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett., 86 (24), 244104 (2005)
  4. B. Roben, X. Lu, M. Hempel, K. Biermann, L. Schrottke, H. Grahn. Opt. Express, 25 (14), 16282 (2017)
  5. M. Wienold, T. Hagelschuer, N. Rothbart, L. Schrottke, K. Biermann, H.T. Grahn, H.W. Hubers. Appl. Phys. Lett., 109 (1), 011102 (2016)
  6. B. Mirzaei, J.R.G. Silva, D. Hayton, C. Groppi, T.Y. Kao, Q. Hu, J.L. Reno, J.R. Gao. Opt. Express, 25 (24), 29587 (2017)
  7. Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, Р.А. Хабибуллин. Квантовая электроника: матер. XI Междунар. науч.-техн. конф. (Минск, РИВШ, 2017) с. 110
  8. Y.J. Han, L.H. Li, J. Zhu, A. Valavanis, J.R. Freeman, L. Chen, M. Rosamond, P. Dean, A.G. Davies, E.H. Linfield. Opt. Express, 26 (4), 3814 (2018)
  9. W. Terashima, H. Hirayama. Proc. SPIE, 9483, 948304 (2015)
  10. N.L. Biavan, M. Hugues, M.M. Bajo, J. Tamayo-Arriola, A. Jollivet, D. Lefebvre, Y. Cordier, B. Vinter, F.-H. Julien, A. Hierro, J.-M. Chauveau. Appl. Phys. Lett., 111 (23), 231903 (2017)
  11. S. Khanal, J.L. Reno, S. Kumar. Opt. Express, 23 (15), 19689 (2015)
  12. A. Albo, Y.V. Flores, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett., 111 (11), 111107 (2017)
  13. M. Roy, M.A. Talukder. J. Appl. Phys., 121 (13), 133104 (2017)
  14. M. Francki, L. Bosco, M. Beck, C. Bonzon, E. Mavrona, G. Scalari, A. Wacker, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 112 (2), 021104 (2018)
  15. M. Lindskog, D.O. Winge, A. Wacker. Proc. SPIE, 8846, 884603 (2013)
  16. M.S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, P.D. Natale. Opt. Express, 23 (4), 5167 (2015)
  17. A. Matyas, P. Lugli, C. Jirauschek. Appl. Phys. Lett., 102 (1), 011101 (2013)
  18. A. Albo, Q. Hu. Appl. Phys. Lett., 107 (24), 241101 (2015)
  19. K.H. Yoo, L.R. Ram-Mohan, D.F. Nelson. Phys. Rev. B, 39 (17), 12808 (1989)
  20. Д.В. Ушаков, И.С. Манак. Опт. и спектр., 104 (5), 847 (2008)
  21. Д.В. Ушаков, И.С. Манак. ЖПС, 74 (6), 801 (2007)
  22. Д.В. Ушаков, Ю.Г. Садофьев, N. Samal. ФТП, 46 (11), 1430 (2012)
  23. Д.В. Ушаков, В.К. Кононенко, И.С. Манак. Квант. электрон., 40 (3), 195 (2010)
  24. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  25. Р.А. Хабибуллин, Н.В. Щаврук, А.Н. Клочков, И.А. Глинский, Н.В. Зенченко, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев, А.А. Зайцев, Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Г.Э. Цырлин, Ж.И. Алфёров. ФТП, 51 (4), 540 (2017)
  26. R.A. Khabibullin, N.V. Shchavruk, A.Y. Pavlov, A.N. Klochkov, D.S. Ponomarev, I.A. Glinskiy, P.P. Maltsev, A.E. Zhukov, G.E. Cirlin, Z.I. Alferov. Int. J. High Speed Electronics and Systems, 25 (03n04), 1640022 (2016)
  27. Р.А. Хабибуллин, Н.В. Щаврук, А.Ю. Павлов, Д.С. Пономарев, К.Н. Томош, Р.Р. Галиев, П.П. Мальцев, А.Е. Жуков, Г.Э. Цырлин, Ф.И. Зубов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 50 (10), 1395 (2016)
  28. А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов,В.И. Гавриленко, А.Ю. Павлов, Н.В. Щаврук, Р.А. Хабибуллин, Р.Р. Резник, Г.Э. Цырлин, Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ж.И. Алфёров. Письма в ЖТФ, 43 (7), 86 (2017)
  29. A. Albo, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett., 109 (8), 081102 (2016)
  30. A. Albo, Q. Hu. Appl. Phys. Lett., 106 (13), 131108 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme