"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110052
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), НЦНИЛ_а, 18-52-16008
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), НЦНИЛ_а, 18-52-16007
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), А, 18-02-00309
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), НЦНИЛ_а, 18-52-16004
Бовкун Л.С.1,2, Маремьянин К.В.1,3, Иконников А.В.4, Спирин К.Е.1, Алешкин В.Я.1,3, Potemski M.2, Piot B.2, Orlita M.2, Михайлов Н.Н.5,6, Дворецкий С.А.7,6, Гавриленко В.И.1,3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5 Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
6Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
7Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: bovkun@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Исследованы спектры циклотронного резонанса электронов в классических и квантующих магнитных полях в асимметричных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с селективным легированием барьеров. Выполнены самосогласованные расчеты энергетических спектров (при B=0) и уровней Ландау в рамках 8-зонной модели Кейна в приближении Хартри. В слабых полях обнаружено сильное расщепление линии циклотронного резонанса (~10%), связанное с эффектом Рашбы в образцах как с инвертированной, так и с нормальной зонной структурой. Эволюция линий поглощения с магнитным полем прослежена вплоть до 34 Тл, когда магнитное квантование уже превалирует над расщеплением Рашбы.
  1. C.R. Becker. Phys. Status Solidi B, 251, 1125 (2014)
  2. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.C. Zhang. Science, 314, 1757 (2006)
  3. M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.L. Qi, S.C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
  4. M. Schultz, F. Heinrichs, U. Merkt, T. Colin, T. Skauli, L vold. Semicond. Sci. Technol., 11, 1168 (1996)
  5. X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245305 (2001)
  6. Y.S. Gui, C.R. Becker, N. Dai, J. Liu, Z.J. Qiu, E.G. Novik, M. Schafer, X.Z. Shu, J.H. Chu, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 70, 115328 (2004)
  7. J. Hinz, H. Buhmann, M. Schafer, V. Hock, C.R. Becker, L.W. Molenkamp. Semicond. Sci. Technol., 21, 501 (2006)
  8. K.E. Spirin, A.V. Ikonnikov, A.A. Lastovkin, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. JETP Lett., 92, 63 (2010)
  9. W. Zawadzki, P. Pfeffer. Semicond. Sci. Technol., 19, R1 (2004)
  10. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnol., 3, 120 (2006)
  11. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. Nanoscale Res. Lett., 39, 918 (2010)
  12. A. Rogalski. Rep. Prog. Phys., 68, 2267 (2005)
  13. R. Winkler. Inversion-Asymmetry-Induced Spin Splitting (Springer, Berlin Heidelberg, Berlin-Heidelberg, 2003) p. 69
  14. M.S. Zholudev, F. Teppe, S.V. Morozov, M. Orlita, C. Consejo, S. Ruffenach, W. Knap, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. JETP Lett., 100, 790 (2015)
  15. G.M. Minkov, V.Y. Aleshkin, O.E. Rut, A.A. Sherstobitov, A.V. Germanenko, S.A. Dvoretski, N.N. Mikhailov. Phys. Rev. B, 96, 035310 (2017)
  16. S.A. Tarasenko, M.V. Durnev, M.O. Nestoklon, E.L. Ivchenko, J.-W. Luo, A. Zunger. Phys. Rev. B, 91, 081302(R) (2015)
  17. K.P. Kalinin, S.S. Krishtopenko, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, A.A. Biryukov, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov. Semiconductors, 47, 1485 (2013)
  18. A.V. Ikonnikov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, A.A. Lastovkin, K.V. Maremyanin, V.Y. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap. Semicond. Sci. Technol., 26, 125011 (2011)
  19. X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 65, 045324 (2002)
  20. M. Schultz, U. Merkt, A. Sonntag, U. R ssler, R. Winkler, T. Colin, P. Helgesen, T. Skauli, S. L vold. Phys. Rev. B, 57, 14772 (1998)
  21. L.S. Bovkun, A.V. Ikonnikov, V.Y. Aleshkin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretski, F. Teppe, B. Piot, M. Potemski, M. Orlita. https://arxiv.org/abs/1711.08783 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.