Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46582.04

Переводная версия: 10.1134/S1063782618110052

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), НЦНИЛ_а, 18-52-16008

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), НЦНИЛ_а, 18-52-16007

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), А, 18-02-00309

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), НЦНИЛ_а, 18-52-16004

Бовкун Л.С.^1,2, Маремьянин К.В.^1,3, Иконников А.В.⁴, Спирин К.Е.¹, Алешкин В.Я.^1,3, Potemski M.², Piot B.², Orlita M.², Михайлов Н.Н.^5,6, Дворецкий С.А.^7,6, Гавриленко В.И.^1,3

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France

Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France

³Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

⁴Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

⁵ Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

⁶Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁷Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Email: bovkun@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры циклотронного резонанса электронов в классических и квантующих магнитных полях в асимметричных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с селективным легированием барьеров. Выполнены самосогласованные расчеты энергетических спектров (при B=0) и уровней Ландау в рамках 8-зонной модели Кейна в приближении Хартри. В слабых полях обнаружено сильное расщепление линии циклотронного резонанса (~10%), связанное с эффектом Рашбы в образцах как с инвертированной, так и с нормальной зонной структурой. Эволюция линий поглощения с магнитным полем прослежена вплоть до 34 Тл, когда магнитное квантование уже превалирует над расщеплением Рашбы.

C.R. Becker. Phys. Status Solidi B, 251, 1125 (2014)
B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.C. Zhang. Science, 314, 1757 (2006)
M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.L. Qi, S.C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
M. Schultz, F. Heinrichs, U. Merkt, T. Colin, T. Skauli, L vold. Semicond. Sci. Technol., 11, 1168 (1996)
X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245305 (2001)
Y.S. Gui, C.R. Becker, N. Dai, J. Liu, Z.J. Qiu, E.G. Novik, M. Schafer, X.Z. Shu, J.H. Chu, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 70, 115328 (2004)
J. Hinz, H. Buhmann, M. Schafer, V. Hock, C.R. Becker, L.W. Molenkamp. Semicond. Sci. Technol., 21, 501 (2006)
K.E. Spirin, A.V. Ikonnikov, A.A. Lastovkin, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. JETP Lett., 92, 63 (2010)
W. Zawadzki, P. Pfeffer. Semicond. Sci. Technol., 19, R1 (2004)
N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnol., 3, 120 (2006)
S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. Nanoscale Res. Lett., 39, 918 (2010)
A. Rogalski. Rep. Prog. Phys., 68, 2267 (2005)
R. Winkler. Inversion-Asymmetry-Induced Spin Splitting (Springer, Berlin Heidelberg, Berlin-Heidelberg, 2003) p. 69
M.S. Zholudev, F. Teppe, S.V. Morozov, M. Orlita, C. Consejo, S. Ruffenach, W. Knap, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. JETP Lett., 100, 790 (2015)
G.M. Minkov, V.Y. Aleshkin, O.E. Rut, A.A. Sherstobitov, A.V. Germanenko, S.A. Dvoretski, N.N. Mikhailov. Phys. Rev. B, 96, 035310 (2017)
S.A. Tarasenko, M.V. Durnev, M.O. Nestoklon, E.L. Ivchenko, J.-W. Luo, A. Zunger. Phys. Rev. B, 91, 081302(R) (2015)
K.P. Kalinin, S.S. Krishtopenko, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, A.A. Biryukov, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov. Semiconductors, 47, 1485 (2013)
A.V. Ikonnikov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, A.A. Lastovkin, K.V. Maremyanin, V.Y. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap. Semicond. Sci. Technol., 26, 125011 (2011)
X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 65, 045324 (2002)
M. Schultz, U. Merkt, A. Sonntag, U. R ssler, R. Winkler, T. Colin, P. Helgesen, T. Skauli, S. L vold. Phys. Rev. B, 57, 14772 (1998)
L.S. Bovkun, A.V. Ikonnikov, V.Y. Aleshkin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretski, F. Teppe, B. Piot, M. Potemski, M. Orlita. https://arxiv.org/abs/1711.08783 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель