"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах AIIIBV на кремниевых подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110143
Кудрявцев К.Е.1,2, Дубинов А.А.1,2, Алешкин В.Я.1,2, Юрасов Д.В.1, Горлачук П.В.3, Рябоштан Ю.Л.3, Мармалюк А.А.3, Новиков А.В.1,2, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: konstantin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на "виртуальной подложке" Ge/Si(100) с использованием буферных слоев GaAs и InP выращены "гибридные лазерные структуры с квантовыми ямами AlGaInAs. При оптической накачке полученных образцов достигнуто стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5 мкм при температуре жидкого азота. Порог возникновения стимулированного излучения составил 30-70 кВт/см2.
  1. G. Roelkens, A. Abassi, P. Cardile et al. Photonics, 2 (3), 969 (2015)
  2. Е. Tournie, L. Cerutti, J.-B. Rodriguez, H. Liu, J. Wu, S. Chen. MRS Bulletin, 41, 218 (2016)
  3. J. Wang, X. Ren, C. Deng, H. Hu, Yu. He, Zh. Cheng, H. Ma, Q. Wang, Y. Huang, X. Duan, X. Yan. J. Lightwave Technol., 33, 3163 (2015)
  4. V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109, 061111 (2016)
  5. R. Soref. Silicon, 2 (1), 1 (2010)
  6. P. Dong, Y.-K. Chen, G.-H. Duan, D.T. Neilson. Nanophotonics, 3 (4-5), 215 (2014)
  7. L.W. Sung, H.H. Lin. Appl. Phys. Lett., 83, 1107 (2003)
  8. P. Sundgren, J. Berggren, P. Goldman, M. Hammar. Appl. Phys. Lett., 87, 071104 (2005)
  9. A.Y. Liu, C. Zhang, J. Norman, A. Shyder, D. Lubyshev, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 104, 041104 (2014)
  10. S. Chen, W. Li, J. Wu, Q. Jiang, M. Tang, S. Shutts, S.N. Elliott, A. Sobiesierski, A.J. Seeds, I. Ross, P.M. Snowton, H. Liu. Nature Photonics, 10, 307 (2016)
  11. H. Liu, Q. Wang, J. Chen, K. Liu, X. Ren. J. Cryst. Growth, 455, 168 (2016)
  12. R.A. Salii, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, V.N. Nevedomskiy, A.E. Zhukov. J. Phys.: Conf. Ser., 816, 012024 (2017)
  13. С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
  14. M. Razeghi, M. Defour, R. Blondeau, F. Omnes, P. Maurel, O. Acher, F. Brillouet, J.C.C. Fan, J. Salerno. Appl. Phys. Lett., 53, 2389 (1988)
  15. M. Sugo, H. Mori, M. Tachikawa, Y. Itoh, M. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 57, 593 (1990)
  16. K. Matsumoto et al. Appl. Phys. Express, 9, 062701 (2016)
  17. L. Colace, G. Mastini, F. Galluzzi, G. Assanto, G. Capellini, L. Di Gaspare, E. Palange, F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 72, 3175 (1998)
  18. H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
  19. Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49, 1463 (2015)
  20. В.Я. Алешкин, Н.В. Байдусь, А.А. Дубинов, З.Ф. Красильник, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, А.В. Рыков, Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский. ФТП, 51, 695 (2017)
  21. P.F. Fewster. X-ray Scattering from Semiconductors and Other Materials, 3rd edn (World Scientific Publishing Co, Singapore, 2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.