"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Многофононная внутрицентровая релаксация состояний акцепторов бора в алмазе
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110040
Бекин Н.А. 1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: nbekin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Расчеты темпов релаксации осуществлялись в адиабатическом приближении, в котором в качестве стационарных состояний примеси выступают электронно-колебательные (вибронные) состояния. Вероятности переходов между этими состояниями, сопровождаемые испусканием (или поглощением) одного или нескольких фононов, рассчитываются в первом порядке теории возмущений как возникающие в результате нарушения адиабатичности. Для описания электронной части волновой функции вибронного состояния использовался простой гамильтониан с изотропной эффективной массой. Волновая функция основного состояния находилась методом квантового дефекта. Согласно расчетам, дырка из возбужденного состояния акцептора бора, энергия которого выше энергии основного состояния на 304 мэВ, релаксирует на основное состояние с испусканием двух оптических фононов с темпом ~ 1011 c-1. Данная величина является оценкой сверху, поскольку использованная в расчетах модель бездисперсных оптических фононов завышает количество фононных мод, участие которых в релаксации разрешено законом сохранения энергии. Однако несмотря на грубый характер приближения, можно сделать вывод, что многофононная релаксация состояний акцепторов бора в алмазе является быстрым процессом.
  1. C.J.H. Wort, R.S. Balmer. Materials Today, 11 (1-2), 22 (2008)
  2. I. Aharonovich, E. Neu. Adv. Optical Mater., 2, 911 (2014)
  3. G. Davies, R. Stedman. J. Phys. C: Solid State Phys., 20, 2119 (1987)
  4. Semiconducrors --- Basic Data, 2nd edn, ed. by O. Madelung (Springer, Berlin, 1996)
  5. J. Walker. Rep. Prog. Phys., 42, 1605 (1979)
  6. A.T. Collins, P.J. Dean, E.C. Lightowlers, W.F. Sherman. Phys. Rev., 140, A1272 (1965)
  7. K. Huang, A. Rhys. Proc. Roy. Soc. A, 204, 406 (1950)
  8. А.М. Стоунхэм. Теория дефектов в твердых телах (М., Мир, 1978) т. 1
  9. B.K. Ridley. J. Phys. C: Solid State Phys., 11, 2323 (1978)
  10. B.K. Ridley. Solid State Electron., 21, 1319 (1978)
  11. L. Reggiani, S. Bosi, C. Canali, F. Nava, S.F. Kozlov. Phys. Rev. B, 23, 3050 (1981)
  12. K.J. Morse, R.J.S. Abraham, A.DeAbreu, C. Bowness, T.S. Richards, H. Riemann, N.V. Abrosimov, P. Becker, H.-J. Pohl, M.L.W. Thewalt, S. Simmons. Sci. Adv., 3, e1700930 (2017)
  13. A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, 1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.