"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110039
Абрамкин Д.С.1,2, Петрушков М.О.1, Путято М.А.1, Семягин Б.Р.1, Шамирзаев Т.С.1,2,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: tim@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Гетероструктуры с InAs/AlAs-квантовыми точками выращены на гибридных подложках GaAs/Si. В низкотемпературных (5-80 K) спектрах фотолюминесценции гетероструктур InAs/AlAs/GaAs/Si наблюдаются полосы, связанные с рекомбинацией экситонов в квантовых точках и смачивающем слое --- тонкой квантовой яме, лежащей в основании массива квантовых точек. Температурное гашение фотолюминесценции квантовых точек обусловлено прямым захватом носителей заряда на дефекты в AlAs-матрице, локализованных в окрестности квантовых точек.
  1. C. Sun, M.T. Wade, Y. Lee, J.S. Orcutt, L. Alloatti. Nature, 528, 534 (2015)
  2. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178, 459 (2008)
  3. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  4. М.А. Путято, Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский. ФТП, 43, 1275 (2009)
  5. T.J. Grassman, M.R. Brenner, S. Rajagopalan, R. Unocic, R. Dehoff, M. Mills, H. Fraser, S.A. Ringel. Appl. Phys. Lett., 94, 232106 (2009)
  6. K. Yamane, T. Kawai, Y. Furukawa, H. Okada, A. Wakahara. J. Cryst. Growth, 312, 2179 (2010)
  7. T. Tsuji, H. Yonezu, N. Ohshima. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1428 (2004)
  8. Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов и др. Автометрия, 54 (2), 85 (2018)
  9. T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, A.K. Gutakovskii, A.K. Kalagin, K.S. Zhuravlev, M. Larsson, P.O. Holtz. Phys. Rev. B, 78, 085323 (2008)
  10. T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 76, 155309 (2007)
  11. T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev, F. Trojanek, B. Dzurnvak, P. Maly. Nanotechnology, 21, 155703 (2010)
  12. D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev. J. Appl. Phys., 123, 115701 (2018)
  13. T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, N.A. Yakusheva, I.P. Petrenko. Semicond. Sci. Technol., 13, 1123 (1998)
  14. P. Offermans, P.M. Koenraad, J.H. Wolter, K. Pierz, M. Roy, P.A. Maksym. Phys. Rev. B, 72, 165332 (2005)
  15. M. Sato, M. Uwaha, Y. Saito. Phys. Rev. B, 62, 8452 (2000)
  16. Д.С. Абрамкин, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, А.К. Гутаковский, А.С. Кожухов, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев. Изв. РАН. Сер. физ., 80, 22 (2016)
  17. P. Offermans, P.M. Koenraad, R. Notzel, J.H. Wolter, K. Pierz. Appl. Phys. Lett., 87, 111903 (2005)
  18. F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
  19. C.F. Klingshirn. Semiconductor Optics, 3rd edn (Springer, Berlin, 2006) p. 690
  20. C. Gogineni, N.A. Riordan, S.R. Johnson, X. Lu, T. Tiedje. Appl. Phys. Lett., 103, 041110 (2013)
  21. N.N. Ledentsov, J. Bohrer, M. Beer, F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, D. Bimberg, S.V. Ivanov, B.Y. Meltser, S.V. Shaposhnikov, I.N. Yassievich, N.N. Faleev, P.S. Kop'ev, Z.I. Alferov. Phys. Rev. B, 52, 14058 (1995)
  22. T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev. Semicond. Sci. Technol., 21, 527 (2006)
  23. Т.С. Шамирзаев, М.С. Сексенбаев, К.С. Журавлев, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков. ФТТ, 47, 80 (2005)
  24. W.A. Harrison. Electronic Structure and Properties of Solids (W.H. Freeman, San Francisco, 1980) p. 838

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.