"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения
Переводная версия: 10.1134/S106378261811012X
Хананова А.В.1,2, Оболенский С.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Впервые предложен метод разработки моделей полупроводниковых приборов с двумерными неоднородными профилями концентрации доноров и акцепторов в рабочих областях полупроводниковой структуры прибора на основе комплекса физико-топологического моделирования транспорта носителей заряда и технологического моделирования процессов формирования структуры прибора. Применение технологического моделирования обусловлено необходимостью корректного определения параметров полупроводниковой структуры прибора, которые используются в качестве исходных данных для проведения расчетов транспорта электронов по физико-топологической модели. Для мощного МОП транзистора, создаваемого методом двойной диффузии, по известным электрическим характеристикам и измеренным геометрическим размерам структуры определялись параметры технологических процессов ионной имплантации, диффузии и литографии, которые уточнялись в ходе технологического моделирования. В результате были получены двумерные профили распределения доноров и акцепторов в p-n-переходах, необходимые для проведения расчетов процессов пробоя транзистора при воздействии импульсного gamma-излучения. Процессы пробоя моделировались с помощью физико-топологической модели на основе уравнений Пуассона, непрерывности и выражений для плотности диффузионного и дрейфового токов в транзисторе. Учет образовавшихся в момент gamma-облучения носителей заряда был реализован введением зависимости коэффициента генерации электронно-дырочных пар от мощности дозы излучения. Результаты расчетов хорошо коррелировали с экспериментальными данными, что позволило сделать заключение об адекватности предложенной комплексной модели.
  1. В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980)
  2. К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных микросхемах космического применения (М., БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012)
  3. Л.О. Мырова, А.З. Чепиженко. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям (М., Радио и связь, 1988)
  4. К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский, И.А. Харитонов, А.П. Ятманов. Изв. вузов. Электроника, 1 (87), 20 (2011)
  5. И.А. Данилов, Б.В. Василегин, П.Н. Осипенко. ВАНТ, сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 4, 13 (2011)
  6. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, М.В. Кожухов, Л.М. Самбурский. Информационные технологии, 21 (12), 916 (2015)
  7. В.С. Волков, А.П. Жарких, И.Н. Володин. Вестн. ВГТУ, 5 (11), 64 (2009)
  8. К.В. Зольников, В.А. Скляр. ВАНТ, сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 2, 14 (2014)
  9. Ю.Ю. Гулин, А.Н. Рябев, М.Е. Горчичко. Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы, 3 (4), 89 (2016)
  10. А.С. Аверяскин, А.В. Хананова. ВАНТ, сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 1, 46 (2012)
  11. Э.С. Окснер. Мощные полевые транзисторы и их применение (М., Радио и связь, 1985)
  12. А.С. Аверяскин, А.В. Хананова. ВАНТ, сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 4, 16 (2014)
  13. К.О. Петросянц, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский, И.А. Харитонов, А.П. Ятманов. Изв. вузов. Электроника, N 2, (82), 81 (2010)
  14. К.О. Петросянц, М.В. Кожухов. МЭС, 4, 2 (2016)
  15. Е.А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Д.И. Дюков. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
  16. А.С. Пузанов, Е.В. Волкова, С.В. Оболенский, С.Г. Петров. МЭС, 1, 286 (2008)
  17. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский. МЭС, 1, 413 (2012)
  18. B. Jayant Baliga. Advanced Power MOSFET Concepts (Springer Science + Business Media, LLC, 2010)
  19. А. Керенцев, В. Ланин. Силовая электроника, 1, 34 (2008)
  20. С. Зи. Технология СБИС (М., Мир, 1986)
  21. А.И. Курносов, В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (М., Высш. шк., 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.