"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C2F5Cl
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110180
Охапкин А.И.1, Юнин П.А.1, Дроздов М.Н.1, Краев С.А.1, Скороходов Е.В.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: andy-ohapkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Впервые проведено плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме хлорпентафторэтана (C2F5Cl) с учeтом пассивации поверхности продуктами распада реагента. Исследованы элементный состав осаждeнных покрытий, их плотность и морфологические свойства. Установлено, что наиболее гладкий профиль травления реализуется при использовании большого потока фреона и малой eмкостной мощности. В таком режиме анизотропия травления сохраняется на глубине 7 мкм при скорости процесса 230 нм/мин.
  1. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991), с 373 [Пер. с англ.: M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.-London, Plenum Press, 1987)]
  2. S.F. Wang, M. Han, J.T. Ye, G.W. Xu, L. Luo. Microsyst. Technol., 21 (1), 203 (2015).
  3. A.R. Giehl, M. Gumbel, M. Kessler, N. Herhammer, G. Hoffmann et al. J. Vac. Sci. Technol. B., 21 (6), 2393 (2003)
  4. K. Chen, Jian-Jun He, Ming-Yu Li, R. LaPierre. Chin. Phys. Lett., 29 (3), 036105 (2012)
  5. M.N. Mudholkar, G. Sai Saravanan, K. Mahadeva Bhat, Ch. Sridhar, H.P. Vyas, R. Muralidharan. Proc. 2007 Int. Workshop on the Physics of Semiconductor Devices: IWPSD-2007 (Mumbai, India, 2007) p. 466
  6. W. HaiLing, G. Xia, S. GuangDi. Sci. Сhina Ser. E, 50 (6), 749 (2007)
  7. N. Dhindsa, A. Chia, J. Boulanger, I. Khodadad, R. La Pierre, S.S. Saini. Nanotechnology, 25, 305303 (2014)
  8. I. Seethalakshmi, R. Joshi, N. DasGupta, B.K. Das. 17th Int. Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, IWPSD (Noida, India) [Phys. Semicond. Dev.: Environmental Science and Engineering, 681 (2014)]
  9. D.S. Rawal, V.R. Agarwal, H.S. Sharma, B.K. Sehgal, R. Gulati, H.P. Vyas. J. Electrochem. Soc., 150 (7), G395 (2003)
  10. M.J. Frisch et al. Gaussian 03, Revision D.01 (Gaussian Inc., Wallingford CT, 2004)
  11. Электронный ресурс: http://www.chemcraftprog.com
  12. Р.А. Кипер. Свойства веществ: Справочник по химии (Хабаровск, 2013) с. 27.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.