Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46596.18

Переводная версия: 10.1134/S1063782618110222

Рудин С.А.¹, Смагина Ж.В.¹, Зиновьев В.А.¹, Новиков П.Л.^1,2, Ненашев А.В.^1,2, Родякина Е.Е.^1,2, Двуреченский А.В.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: rudin@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано зарождение трехмерных островков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si в виде массива ямок округлой формы. Обнаружено, что зарождение островков Ge происходит внутри ямок с остроконечным дном и по периметру ямок с плоским дном. Данный эффект обусловлен различием в распределении упругой деформации на границе Ge/Si в зависимости от формы дна ямок. Результаты моделирования роста показали, что для ямок с острым дном наиболее релаксированная область находится по центру дна ямки, где и происходит зарождение островков. Тогда как для ямок с плоским дном наиболее релаксированные области смещаются со дна ямок к их краям, что приводит к зарождению островков по их периметру.

Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 1 (2), 119 (2006)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76, 725 (2004)
D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990)
Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
A. Rastelli, H.V. Kanel, B.J. Spencer, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 68, 115301 (2003)
G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Science, 279, 353 (1998)
F.M. Ross, R.M. Tromp, M.C. Reuter. Science, 286, 1931 (1999)
M. Stoffel, A. Rastelli, J. Tersoff, T. Merdzhanova, O.G. Schmidt. Phys. Rev. B, 74, 155326 (2006)
Z. Zhong, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 84, 1922 (2004)
Z. Zhong, W. Schwinger, F. Schaffler, G. Bauer, G. Vastola, F. Montalenti, L. Miglio. Phys. Rev. Lett., 98, 176102 (2007)
F. Hackl, M. Grydlik, M. Brehm, H. Groiss, F. Schaffler, T. Fromherz, G. Bauer. Nanotechnology, 22, 165302 (2011)
F. Pezzoli, M. Stoffel, T. Merdzhanova, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Nanoscale Res. Lett., 4, 1073 (2009)
M. Grydlik, G. Langer, T. Fromherz, F. Schaffler, M. Brehm. Nanotechnology, 24, 105601 (2013)
G. Vastola, M. Grydlik, M. Brehm, T. Fromherz, G. Bauer, F. Boioli, L. Miglio, F. Montalenti. Phys. Rev. B, 84, 155415 (2011)
C. Dais, H. Solak, Y. Ekinci, E. Muller, H. Sigg, D. Grutzmacher. Surf. Sci., 601, 2787 (2007)
Z. Zhong, O. Schmidt, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 87, 133111 (2004)
B. Yang, F. Liu, M. Lagally. Phys. Rev. Lett., 92, 025502 (2004)
H. Hu, H. Gao, F. Liu. Phys. Rev. Lett., 109, 106103 (2012)
J. Zhang, M. Stoffel, A. Rastelli, O. Schmidt, V. Jovanovic, L. Nanver, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 91, 173115 (2007)
M. Salvalaglio, R. Backofen, A. Voigt, F. Montalenti. Nanoscale Res. Lett., 12 (1), 554 (2017)
Zh. Smagina, P. Novikov, V. Zinovyev, N. Stepina, A. Dvurechenskii, V. Armbrister, V. Seleznev, P. Kuchinskaya. Phys. Status Solidi A, 210, 1522 (2013)
P.L. Novikov, A.V. Nenashev, S.A. Rudin, A.S. Polyakov, A.V. Dvurechenskii. Nanotechnologies in Russia, 10, 192 (2015)
P.N. Keating. Phys. Rev., 145, 637 (1966)
S.A. Rudin, V.A. Zinovyev, A.V. Nenashev, A.Yu. Polyakov, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii. Optoelectron. Instr. and Data Proc., 49, 461 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель