"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110222
Рудин С.А.1, Смагина Ж.В.1, Зиновьев В.А.1, Новиков П.Л.1,2, Ненашев А.В.1,2, Родякина Е.Е.1,2, Двуреченский А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: rudin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Исследовано зарождение трехмерных островков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si в виде массива ямок округлой формы. Обнаружено, что зарождение островков Ge происходит внутри ямок с остроконечным дном и по периметру ямок с плоским дном. Данный эффект обусловлен различием в распределении упругой деформации на границе Ge/Si в зависимости от формы дна ямок. Результаты моделирования роста показали, что для ямок с острым дном наиболее релаксированная область находится по центру дна ямки, где и происходит зарождение островков. Тогда как для ямок с плоским дном наиболее релаксированные области смещаются со дна ямок к их краям, что приводит к зарождению островков по их периметру.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  2. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 1 (2), 119 (2006)
  3. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
  4. J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76, 725 (2004)
  5. D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990)
  6. Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
  7. A. Rastelli, H.V. Kanel, B.J. Spencer, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 68, 115301 (2003)
  8. G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Science, 279, 353 (1998)
  9. F.M. Ross, R.M. Tromp, M.C. Reuter. Science, 286, 1931 (1999)
  10. M. Stoffel, A. Rastelli, J. Tersoff, T. Merdzhanova, O.G. Schmidt. Phys. Rev. B, 74, 155326 (2006)
  11. Z. Zhong, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 84, 1922 (2004)
  12. Z. Zhong, W. Schwinger, F. Schaffler, G. Bauer, G. Vastola, F. Montalenti, L. Miglio. Phys. Rev. Lett., 98, 176102 (2007)
  13. F. Hackl, M. Grydlik, M. Brehm, H. Groiss, F. Schaffler, T. Fromherz, G. Bauer. Nanotechnology, 22, 165302 (2011)
  14. F. Pezzoli, M. Stoffel, T. Merdzhanova, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Nanoscale Res. Lett., 4, 1073 (2009)
  15. M. Grydlik, G. Langer, T. Fromherz, F. Schaffler, M. Brehm. Nanotechnology, 24, 105601 (2013)
  16. G. Vastola, M. Grydlik, M. Brehm, T. Fromherz, G. Bauer, F. Boioli, L. Miglio, F. Montalenti. Phys. Rev. B, 84, 155415 (2011)
  17. C. Dais, H. Solak, Y. Ekinci, E. Muller, H. Sigg, D. Grutzmacher. Surf. Sci., 601, 2787 (2007)
  18. Z. Zhong, O. Schmidt, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 87, 133111 (2004)
  19. B. Yang, F. Liu, M. Lagally. Phys. Rev. Lett., 92, 025502 (2004)
  20. H. Hu, H. Gao, F. Liu. Phys. Rev. Lett., 109, 106103 (2012)
  21. J. Zhang, M. Stoffel, A. Rastelli, O. Schmidt, V. Jovanovic, L. Nanver, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 91, 173115 (2007)
  22. M. Salvalaglio, R. Backofen, A. Voigt, F. Montalenti. Nanoscale Res. Lett., 12 (1), 554 (2017)
  23. Zh. Smagina, P. Novikov, V. Zinovyev, N. Stepina, A. Dvurechenskii, V. Armbrister, V. Seleznev, P. Kuchinskaya. Phys. Status Solidi A, 210, 1522 (2013)
  24. P.L. Novikov, A.V. Nenashev, S.A. Rudin, A.S. Polyakov, A.V. Dvurechenskii. Nanotechnologies in Russia, 10, 192 (2015)
  25. P.N. Keating. Phys. Rev., 145, 637 (1966)
  26. S.A. Rudin, V.A. Zinovyev, A.V. Nenashev, A.Yu. Polyakov, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii. Optoelectron. Instr. and Data Proc., 49, 461 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.