Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46595.17

Переводная версия: 10.1134/S1063782618110192

Павельев Д.Г.¹, Васильев А.П.², Козлов В.A.^1,3, Оболенская Е.С.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: bess009@mail.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые теоретически и экспериментально исследована радиационная стойкость к гамма-нейтронному облучению (~1 МэВ) диодов на основе симметричных GaAs/AlAs 30-периодных сверхрешеток. В расчетах использованы модельные зонная диаграмма и эквивалентная схема исследуемой структуры. Расчеты проведены в квазигидродинамическом приближении с учетом разогрева исследуемых диодов протекающим током. Результаты расчетов ВАХ и предельных частот работы диодов до и после гамма-нейтронного облучения хорошо коррелируют с экспериментальными данными.

С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 67 (2002)
Е.А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Д.И. Дюков. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
Е.А. Тарасова, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, Ю.Н. Свешников, В.И. Егоркин, В.А. Иванов, Г.В. Медведев, Д.С. Смотрин. ФТП, 50 (3), 331 (2016)
И.Ю. Забавичев, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, В.А. Козлов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский. ФТП, 51 (11), 1489 (2017)
Р. Зулиг. Радиационные эффекты в ИC на GaAs. Арсенид галлия в микроэлектронике (М., Мир, 1988)
В.А. Козлов, Д.Г. Павельев, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, Е.В. Волкова. ФТП, 49 (12), 1585 (2015)
D.G. Pavelyev, V.A. Kozlov, E.S. Obolenskaya, S.V. Obolensky, V.M. Ustinov, A.P. Vasilev. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 8 (2), 231 (2018)
Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.А. Козлов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. ФТП, 51 (11), 1439 (2017)
Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.А. Козлов, Ю.И. Кошуринов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. ФТП, 50 (11), 1548 (2016)
Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.A. Козлов, Ю.И. Кошуринов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. РЭ, 1, 1 (2016)
Д.Г. Павельев, Н.В. Демарина, Ю.И. Кошуринов, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 38 (9), 1141 (2004)
Е.С. Оболенская, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1507 (2015)
S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, V.I. Shashkin. IEEE Trans. Electron Dev., 58 (8), 2507 (2011)
J.P. Biersak. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 1, 21 (1987)
М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
Е.А. Ладыгин Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980)
С.В. Оболенский, Н.В. Демарина. Наука --- производству, 12, 12 (1998)
Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск. Наука и техника, 1978)
В.Т. Громов, М.А. Китаев, Е.В. Киселева, В.А. Козлов, С.В. Оболенский, В.П. Шукайло. Микроэлектроника, 34 (6), 424 (2005)
Е.В. Киселева, С.В. Оболенский, М.А. Китаев, О.В. Ткачев, В.П. Шукайло, В.Т. Громов. ЖТФ, 20 (31), 58 (2005)
B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 9, 1214 (1954)
С.В. Оболенский С.В. Изв. вузов. Электроника, 6, 67 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель