Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46594.16

Переводная версия: 10.1134/S1063782618110167

Новиков А.В. ^1,2, Юрасов Д.В.¹, Морозова Е.Е.¹, Скороходов Е.В.¹, Вербус В.А.^1,3, Яблонский А.Н.¹, Байдакова Н.А.¹, Гусев Н.С.¹, Кудрявцев К.Е.^1,2, Нежданов А.В.², Машин А.И.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³НИУ Высшая школа экономики, Нижний Новгород, Россия National Research University Higher School of Economics, Nizhny Novgorod, Russia

Email: anov@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты по формированию и исследованию локально-растянутых Ge-микроструктур ("микромостиков") на основе слоев Ge, выращенных на кремниевых подложках. Выполнен теоретический анализ распределения деформации в свободновисящих Ge-микромостиках, который выявил, что для достижения максимального уровня деформации растяжения в самом микромостике необходима минимизация концентрации упругих напряжений во всех углах формируемой микроструктуры. Измерения локальной деформации методом комбинационного рассеяния света показали увеличение деформации растяжения с 0.2-0.25% в исходной Ge-пленке до 2.4% в Ge-микромостиках. Методом спектроскопии микрофотолюминесценции продемонстрировано значительное возрастание интенсивности и существенная модификация спектра ФЛ в области максимальных растягивающих напряжений в Ge-микромостиках и их окрестностях по сравнению со слабо растянутыми участками исходных слоев Ge.

S. Saito, A.Z. Al-Attili, K. Oda, Y. Ishikawa. Semicond. Sci. Technol., 31, 043002 (2016)
R. Geiger, T. Zabel, H. Sigg. Frontiers Mater., 2, 52 (2015)
J. Liu, X. Sun, D. Pan, X. Wang, L.C. Kimerling, T.L. Koch, J. Michel. Opt. Express, 15, 11272 (2007)
J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 85, 1175 (2004)
M. Virgilio, C.L. Manganelli, G. Grosso, G. Pizzi, G. Capellini. Phys. Rev. B, 87, 235313 (2013)
Y.-Y. Fang, J. Tolle, R. Roucka, A.V.G. Chizmeshya, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 90, 061915 (2007)
G. Capellini, M. De Seta, P. Zaumseil, G. Kozlowski, T. Schroeder. J. Appl. Phys., 111, 73518 (2012)
R.A. Minamisawa, M.J. Suess, R. Spolenak, J. Faist, C. David, J. Gobrecht, K.K. Bourdelle, H. Sigg. Nature Commun., 3, 1096 (2012)
M.J. Suess, R. Geiger, R.A. Minamisawa, G. Schiefler, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, H. Sigg. Nature Photonics, 7, 466 (2013)
S. Bao, D. Kim, C. Onwukaeme, S. Gupta, K. Saraswat, K.H. Lee, Y. Kim, D. Min, Y. Jung, H. Qiu, H. Wang, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan, D. Nam. Nature Commun., 8, 1845 (2017)
H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
L. Colace, G. Masini, F. Galluzzi, G. Assanto, G. Capellini, L. Di Gaspare, E. Palange, F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 72, 3175 (1998)
J.-M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010)
Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49, 1463 (2015)
D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 118, 145701 (2015)
Н.А. Байдакова, В.А. Вербус, Е.Е. Морозова, А.В. Новиков, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, Д.В. Юрасов, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami. ФТП, 51 (12), 1599 (2017)
A. Gassenq, S. Tardif, K. Guilloy, I. Duchemin, N. Pauc, J.-M. Hartmann, D. Rouchon, J. Widiez, Y.M. Niquet, L. Milord, T. Zabel, H. Sigg, J. Faist, A. Chelnokov, F. Rieutord, V. Reboud, V. Calvo. J. Appl. Phys., 121, 055702 (2017)
J.J. Wortman. R.A. Evans. J. Appl. Phys., 36, 153 (1965)
Guo-En Chang, H.H. Cheng. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 065103 (2013)
G. Capellini, C. Reich, S. Guha, Y. Yamamoto, M. Lisker, M. Virgilio, A. Ghrib, M. El Kurdi, P. Boucaud, B. Tillack, T. Schroeder. Opt. Express, 22, 399 (2014)
K.P. Rola, I. Zubel. Mater. Sci. Poland, 29, 278 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель