"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110064
Деребезов И.А.1,2, Гайслер В.А.1, Гайслер А.В.1, Дмитриев Д.В.1, Торопов А.И.1, von Helversen M.3, de la Haye C.3, Bounouar S.3, Reitzenstein S.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск, Россия
3Technische Universitat Berlin, Institut fur Festkorperphysik Eugene-Wigner-Gebaude, Berlin, Federal Republic of Germany
Email: derebezov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Исследована система квантовых точек на основе AlInAs и (111)InGaAs. Использование широкозонных твердых растворов AlxIn1-xAs в качестве основы квантовых точек позволило существенно расширить спектральный диапазон излучения в коротковолновую область, включая участок длин волн вблизи 770 нм, представляющий интерес для разработки аэрокосмических систем квантовой криптографии. Исследована тонкая структура экситонных состояний AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек. Показано, что для набора квантовых точек расщепление экситонных состояний сравнимо с естественной шириной экситонных линий, что представляет интерес для разработки излучателей фотонных пар на их основе.
  1. N. Gisin, G. Ribordy, W. Tittel, H. Zbinden. Rev. Mod. Phys., 74 (1), 145 (2002)
  2. В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, К.В. Грачев, В.К. Сандырев, А.С. Кожухов, В.М. Шаяхметов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. ФТП, 49 (1), 35 (2015)
  3. A. Lochmann, E. Stock, O. Schulz, J.A. Tofflinger, W. Unrau, A. Toropov, A. Bakarov, V. Haisler, D. Bimberg. Electron. Lett., 45 (13), 566 (2009)
  4. O. Benson, C. Santori, M. Pelton, Y. Yamamoto. Phys. Rev. Lett., 84, 2513 (2000)
  5. D. Bimberg, E. Stock, A. Lochmann, A. Schliva, J.A. Tofflinger, W. Unrau, M. Munnix, S. Rodt, V.A. Haisler, A.I. Toropov, A. Bakarov. IEEE Photon. J., 1 (1), 58 (2009)
  6. А.В. Гайслер, И.А. Деребезов, А.С. Ярошевич, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, В.А. Гайслер, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Письма ЖЭТФ, 97, 313 (2013)
  7. R. Seguin, A. Schliwa, S. Rodt, K. Potschke, U.W. Pohl, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 95, 257402 (2005)
  8. R. Seguin, A. Schliwa, S. Rodt, K. Potschke, U.W. Pohl, D. Bimberg. Physica E, 32, 101 (2006)
  9. M. Povolotskyi, A. Di Carlo, S. Birner. Phys. Status Solidi C, 1 (6), 1511 (2004)
  10. R. Singh, G. Bester. Phys. Rev. Lett., 103, 063601 (2009)
  11. A. Schliwa, M. Winkelnkemper, A. Lochmann, E. Stock, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 80, 161307 (2009)
  12. A. Mohan, M. Felici, P. Gallo, B. Dwir, A. Rudra, J. Faist, E. Kapon. Nature Photonics, 4, 302 (2010)
  13. N. Gisin, G. Ribordy, W. Tittel, H. Zbinden. Rev. Mod. Phys., 74, 145 (2002)
  14. L.H. Li, N. Chauvin, G. Patriarche, B. Alloing, A. Fiore. J. Appl. Phys., 104, 08358 (2008)
  15. T.J. Krzyzewski, T.S. Jones. J. Appl. Phys., 96, 668 (2004)
  16. L. Muller-Kirsch, R. Heitz, U.W. Pohl, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 79, 1027 (2001)
  17. U.W. Pohl, K. Potschke, A. Schliwa, F. Guffarth, D. Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner, M.B. Lifshits, V.A. Shchukin, D.E. Jesson. Phys. Rev. B, 72, 245332 (2005)
  18. S. Panyakeow. Eng. J., 13 (1), 51 (2009)
  19. Z. Gong, Z.C. Niu, S.S. Huang, Z.D. Fang, B.Q. Sun, J.B. Xia. Appl. Phys. Lett., 87, 093116 (2005)
  20. Single Quantum Dots, Fundamentals, Applications and New Concepts, ed. by P. Michler (Berlin, Springer Verlag, 2003)
  21. Single Semiconductor Quantum Dots, ed. by P. Michler (Berlin, Springer Verlag, 2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.