"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120)
Переводная версия: 10.1134/S106378261811026X
Российский научный фонд, 17-72-10166
Юнин П.А.1,2, Дроздов Ю.Н.1, Хрыкин О.И.1, Григорьев В.А.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: yunin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные свойства гетероэпитаксиальных слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на подложках a-среза (1120) сапфира. Обнаружена анизотропия ширины кривых качания симметричного (0004) и асимметричных 1124 и 1015 отражений нитрида галлия при вращении образца в своей плоскости. Сравнение анизотропии ширины кривых качания для слоев (0001)GaN/(1120)Al2O3 с двумя различными вариантами ориентационных соотношений в плоскости позволило сделать заключение о независимости характера анизотропии структурных свойств от термоупругих напряжений, возникающих при остывании гетеросистемы.
  1. T. Lei, K.F. Ludwig, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 74, 4430 (1993)
  2. D. Doppalapudi, E. Iliopoulos, S.N. Basu, T.D. Moustakas, J. Appl. Phys., 85, 3582 (1999)
  3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Japanese J. Appl. Phys., pt. 2 Letters, 35, L217 (1996)
  4. J. Bai, T. Wang, H.D. Li, N. Jiang, S. Sakai. J. Cryst. Growth, 231, 41 (2001)
  5. M.E. Twigg, R.L. Henry, A.E. Wickenden, D.D. Koleske, J.C. Culbertson. Appl. Phys. Lett., 75, 686 (1999)
  6. J. Wu, K. Okuura, H. Miyake, K. Hiramatsu. Appl. Phys. Express, 2, 111004 (2009)
  7. T. Someya, K. Hoshino, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 79, 1992 (2001)
  8. M. Moret, S. Ruffenach, O. Briot, B. Gil. Physica Status Solidi A, 208, 1183 (2011)
  9. M. Moret, S. Ruffenach, O. Briot, B. Gil. Phys. Status Solidi A, 207, 24 (2010)
  10. Y.N. Buzynin, O.I. Khrykin, P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.Y. Luk'yanov. Phys. Status Solidi A, 215, 1700919 (2018)
  11. M. Funato, M. Shibaoka, Y. Kawakami. J. Appl. Phys., 121, 085304 (2017)
  12. J. Tajima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu. Phys. Status Solidi C, 8, 2028 (2011)
  13. П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин. Tр. XXI Mеждунар. cимп. "Нанофизика и наноэлектроника 2017" (Нижний Новгород, Россия 2017) т. 2, с. 780
  14. V. Darakchieva, P.P. Paskov, T. Paskova, E. Valcheva, B. Monemar, M. Heuken. Appl. Phys. Lett., 82, 703 (2003)
  15. H. Kim-Chauveau, P. De Mierry, H. Cabane, D. Gindhart. J. Appl. Phys., 104, 113516 (2008)
  16. О.И. Хрыкин, А.В. Бутин, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 39, 21 (2005)
  17. P.A. Yunin, Y.N. Drozdov. J. Appl. Cryst., 51 (2), 549 (2018)
  18. D.K. Bowen, B.K. Tanner. High resolution X-Ray diffractometry and topography (London, Taylor \& Francis, 2005)
  19. Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, П.А. Юнин. Тр. XXII Mеждунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника 2018", (Нижний Новгород, Россия, 2018) т. 2, с. 596
  20. M.A. Moram, M.E. Vickers. Rep. Prog. Phys., 72, 036502 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.