Вышедшие номера
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120)
Переводная версия: 10.1134/S106378261811026X
Российский научный фонд, 17-72-10166
Юнин П.А.1,2, Дроздов Ю.Н.1, Хрыкин О.И.1, Григорьев В.А.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: yunin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные свойства гетероэпитаксиальных слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на подложках a-среза (1120) сапфира. Обнаружена анизотропия ширины кривых качания симметричного (0004) и асимметричных 1124 и 1015 отражений нитрида галлия при вращении образца в своей плоскости. Сравнение анизотропии ширины кривых качания для слоев (0001)GaN/(1120)Al2O3 с двумя различными вариантами ориентационных соотношений в плоскости позволило сделать заключение о независимости характера анизотропии структурных свойств от термоупругих напряжений, возникающих при остывании гетеросистемы.