Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120)
Переводная версия: 10.1134/S106378261811026X 
Российский научный фонд, 17-72-10166
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: yunin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные свойства гетероэпитаксиальных слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на подложках a-среза (1120) сапфира. Обнаружена анизотропия ширины кривых качания симметричного (0004) и асимметричных 1124 и 1015 отражений нитрида галлия при вращении образца в своей плоскости. Сравнение анизотропии ширины кривых качания для слоев (0001)GaN/(1120)Al2O3 с двумя различными вариантами ориентационных соотношений в плоскости позволило сделать заключение о независимости характера анизотропии структурных свойств от термоупругих напряжений, возникающих при остывании гетеросистемы.
- T. Lei, K.F. Ludwig, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 74, 4430 (1993)
- D. Doppalapudi, E. Iliopoulos, S.N. Basu, T.D. Moustakas, J. Appl. Phys., 85, 3582 (1999)
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Japanese J. Appl. Phys., pt. 2 Letters, 35, L217 (1996)
- J. Bai, T. Wang, H.D. Li, N. Jiang, S. Sakai. J. Cryst. Growth, 231, 41 (2001)
- M.E. Twigg, R.L. Henry, A.E. Wickenden, D.D. Koleske, J.C. Culbertson. Appl. Phys. Lett., 75, 686 (1999)
- J. Wu, K. Okuura, H. Miyake, K. Hiramatsu. Appl. Phys. Express, 2, 111004 (2009)
- T. Someya, K. Hoshino, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 79, 1992 (2001)
- M. Moret, S. Ruffenach, O. Briot, B. Gil. Physica Status Solidi A, 208, 1183 (2011)
- M. Moret, S. Ruffenach, O. Briot, B. Gil. Phys. Status Solidi A, 207, 24 (2010)
- Y.N. Buzynin, O.I. Khrykin, P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.Y. Luk'yanov. Phys. Status Solidi A, 215, 1700919 (2018)
- M. Funato, M. Shibaoka, Y. Kawakami. J. Appl. Phys., 121, 085304 (2017)
- J. Tajima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu. Phys. Status Solidi C, 8, 2028 (2011)
- П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин. Tр. XXI Mеждунар. cимп. "Нанофизика и наноэлектроника 2017" (Нижний Новгород, Россия 2017) т. 2, с. 780
- V. Darakchieva, P.P. Paskov, T. Paskova, E. Valcheva, B. Monemar, M. Heuken. Appl. Phys. Lett., 82, 703 (2003)
- H. Kim-Chauveau, P. De Mierry, H. Cabane, D. Gindhart. J. Appl. Phys., 104, 113516 (2008)
- О.И. Хрыкин, А.В. Бутин, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 39, 21 (2005)
- P.A. Yunin, Y.N. Drozdov. J. Appl. Cryst., 51 (2), 549 (2018)
- D.K. Bowen, B.K. Tanner. High resolution X-Ray diffractometry and topography (London, Taylor \& Francis, 2005)
- Ю.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, П.А. Юнин. Тр. XXII Mеждунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника 2018", (Нижний Новгород, Россия, 2018) т. 2, с. 596
- M.A. Moram, M.E. Vickers. Rep. Prog. Phys., 72, 036502 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
