"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110209
Пузанов А.С.1, Оболенский С.В.1, Козлов В.А.1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: aspuzanov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Рассмотрен процесс релаксации возбуждений в электронно-дырочной плазме при воздействии ионизирующего излучения с длительностью, меньшей времени релаксации энергии и импульса подвижных носителей заряда. На примере расчета переходных ионизационных процессов в кремниевом диоде Шоттки гипервысоких частот проведено сравнение локально-равновесной и локально-неравновесной моделей переноса носителей заряда. Показано, что локально-неравновесная модель имеет более широкую область применимости для описания быстропротекающих релаксационных процессов.
  1. R. Jones, A.M. Chugg, C.M.S. Jones, P.H. Duncan, C.S. Dyer, C. Sanderson. IEEE Trans. Nucl. Sci., 47 (3), 539 (2000)
  2. А.И. Чумаков, А.Н. Егоров, О.Б. Маврицкий, А.В. Яненко. Микроэлектроника, 33 (2), 137 (2004)
  3. M. Sakhno, A. Golenkov, F. Sizov. J. Appl. Phys., 114 (16), 164503 (2013)
  4. P. Vernotte. Comptes Rendus Acad. Sci. Paris, 246, 3154 (1958)
  5. C. Cattaneo. Comptes Rendus Acad. Sci. Paris, 247, 431 (1958)
  6. D. Jou, J. Casas-Vazquez, G. Lebon. Extended irreversible thermodynamics (Spinger, 2010)
  7. W. Shockley. Bell Syst. Techn. J., 28 (7), 435 (1949)
  8. L. Onsager. Phys. Rev., 37 (4), 405 (1931)
  9. L. Onsager. Phys. Rev., 38 (12), 2265 (1931)
  10. К.В. Жуковский. Уч. записки физ. фак. МГУ, 6 (4), 1740301 (2017)
  11. М.Ю. Белевич. Уч. записки росс. гос. гидрометеоролог. ун-та, 10, 101 (2009)
  12. С.Л. Соболев. УФН, 161 (3), 5 (1991)
  13. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1985)
  14. R. Stratton. Phys. Rev., 126 (6), 2002 (1962)
  15. K. Blotekjaer. IEEE Trans. Electron Dev., 17 (1), 38 (1970)
  16. А.В. Лыков. Теория теплопроводности (М., Высш. шк., 1967)
  17. M. Lundstrom. Fundamentals of carrier transport (Cambridge University Press, 2000)
  18. F. Ekoue, A. Fouache d'Halloy, D. Gigon, G. Plantamp, E. Zajdman. World Academy of Science, Engineering and Technology Int. J. Phys. Mathemat. Sci., 7 (5), 772 (2013)
  19. В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов, А.В. Скупов. РЭ, 17 (2), 10 (2014)
  20. R.A. Guyer, J.A. Krumhansl. Phys. Rev., 148 (2), 766 (1966)
  21. R.A. Guyer, J.A. Krumhansl. Phys. Rev., 148 (2), 778 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.