Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si : Er / Si

Кузнецов В.П.¹, Рубцова Р.А.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 23 июля 1999 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

PDF версия

Исследуются температурные зависимости (300-77 K) концентрации и холловской подвижности носителей заряда в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Электрическая активность люминесцирующих центров с Er не наблюдалась. Продемонстрирована возможность точного контроля примесных профилей при получении структур типа p⁺-n-n⁺ для электролюминесценции.

S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita. Appl. Phys. Lett., 73, 93 (1998)
L. Palmetshofer, Yu. Suprun--Belevich, M. Stepikhova. Nucl. Instr. Meth.; Phys. Rev. B, 127/128, 479 (1997)
J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.Ц. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, И. Михель, Л.С. Кимерлинг. ФТП, 33, 649 (1999)
Y. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
K. Serna, Jung H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 79, 2653 (1996)
J.F. Nutzel, G. Abstreiter. J. Appl. Phys., 78, 937 (1995)
H.-J. Gossman, E.F. Schubert. Critical Rev. in Sol. St. and Mater. Sci., 18, 1 (1993)
В.П. Кузнецов. Автореф. канд. дис. (Горький, ГИФТИ, 1973)
В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов, А.В. Туманова. Кристаллография, 24, 1028 (1979)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, Т.М. Исаева, А.Ю. Андреев, В.А. Толомасов. Изв. вузов. Физика, N 7, 3 (1983)
В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина. Электронная промышленность, 9, 57 (1990)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, А.Ю. Андреев, Т.Н. Сергиевская. В.А. Толомасов. Кристаллография, 31, 1180 (1986)
А.Ю. Андреев, В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов. ЖТФ, 57, 1204 (1987)
В.П. Кузнецов, В.В. Постников, В.А. Толомасов. Кристаллография, 15, 391 (1970)
V.P. Kuznetsov, A.Yu. Andreev, O.A. Kuznetsov. Phys. St. Sol. (a), 127, 371 (1991)
В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алешина. Тез. докл. 8 Всес. конф. по росту кристаллов (РК-8) (Харьков, 1992) с. 81
В.П. Кузнецов, В.В. Постников, Т.Д. Комракова, Е.А. Розанова, Т.Н. Стрижева, Т.М. Зотова. Кристаллография, 20, 626 (1975)
А.Ю. Андреев, Н.В. Гудкова, В.П. Кузнецов, В.С. Красильников. Р.А. Рубцова, В.А. Толомасов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24, 1423 (1988)
В.П. Кузнецов. А.с. СССР N 343324. Опубликовано [Бюл. изобретат., N 38 (1989)]. Приоритет от 2.02.1970 г
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.В. Постников. Кристаллография, 16, 432 (1971)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, А.Ю. Андреев, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. Кристаллография, 31, 135 (1986)
В.П. Кузнецов, В.В. Постников. Кристаллография, 19, 346 (1974)
В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов. Кристаллография, 26, 647 (1981)
В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, В.А. Толомасов, В.С. Красильников, О.В. Антипова. Кристаллография, 33, 1227 (1988)
А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, Х. Эллмер, В.П. Кузнецов, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, Ю.А. Карпов, Л. Пальметсхофер, К. Пиплитц, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Е.А. Ускова, В.В. Шмагин, Х. Хуттер. Изв. РАН. Сер. физ., 63, 392 (1999)
Б.А. Андреев, А.Ю. Андреев, Д.М. Гапонова, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, М.В. Степихова, В.В. Шмагин, В.П. Кузнецов, Е.А. Ускова, S. Lanzerstorfer. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Нижний Новгород, 1999) с. 81

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель