"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электрически неактивных примесей на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных эрбием
Александров О.В.1, Захарьин А.О.1, Соболев Н.А.2, Николаев Ю.А.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследовано влияние дополнительной имплантации электрически неактивных примесей углерода, кислорода, азота и фтора на образование донорных центров в кремнии, имплантированном эрбием. Показано, что дополнительная имплантация приводит к увеличению концентрации донорных центров, образующихся при отжигах. Изменение концентрации донорных центров зависит от типа вводимой примеси. Результаты указывают, что электрически неактивные примеси участвуют в образовании донорных центров.
  1. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
  2. Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  3. О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов. ФТП, 30, 876 (1996)
  4. J. Michel, L.V.C. Assali, M.T. Morse, L.C. Kimerling. Semiconductors and Semimetals (San Diego, Academic Press, 1998) v. 49, p. 111
  5. F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, V. Bellani. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
  6. J. Michel, J. Palm, X. Duan, E. Quellette, S.F. Nelson, S.H. Ahm, L.C. Kimerling. Mater. Sci. Forum. 258--263, 1485 (1997)
  7. P.N. Favennec, H.L. Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Japan. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
  8. J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.S. Jacobson, D.S. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
  9. S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995)
  10. N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, E.I. Shek. MRS Symp. Proc., 442, 237 (1997)
  11. О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. ФТП, 32, 1029 (1998)
  12. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Р.Н. Кютт, Ю.А. Николаев, Е.И. Шек, О.В. Александров, А.О. Захарьин, В.И. Вдовин, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин, А.Н. Якименко. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Нижний Новгород, 1999) с. 71
  13. Byoung-Bon Yu, N. Konuma, Eichi Arai. J. Appl. Phys., 70, 2408 (1991)
  14. J. Michel, J. Palm, F. Gan, F.Y.G. Ren, B. Zheng, S.T. Dunham, L.C. Kimerling. Mater. Sci. Forum. 196--201, 585 (1995)
  15. R.S. Hockett. Appl. Phys. Lett., 54, 1793 (1989)
  16. H. Koyama. J. Appl. Phys., 51, 3202 (1980)
  17. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина. ФТП, 32, 708 (1998)
  18. V.V. Emtsev, V.V. Emtsev Jr., D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. J. Luminesc., 80, 374 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.