"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия
Глинчук К.Д.1, Литовченко Н.М.1, Прохорович А.В.1, Стрильчук О.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Показано, что увеличение содержания углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия приводит к существенному возрастанию в них концентрации дивакансий галлия. Отмеченное, наиболее вероятно, связано с заполнением атомами углерода вакансий мышьяка, входящих в состав комплекса дивакансия мышьяка --- дивакансия галлия.
  1. Чао Чень, В.А. Быковский, М.И. Тарасик. ФТП, 28, 35 (1994)
  2. L.M. Scolfaro, R. Pintanel, V.M. Gomes, J.R. Leite. Phys. Rev. B, 34, 7135 (1986)
  3. B.T. Guningham, L.J. Guido, J.E. Baker. Appl. Phys. Lett., 55, 687 (1989)
  4. I. Fujimoto, S. Nishine, T. Yamada. Japan J. Appl. Phys., 31, L296 (1992)
  5. K.J. Chang, B.H. Cheong. Phys. Rev. B, 49, 17 436 (1994)
  6. T.M. Schmidt, P.M. Venezuela, M.J. Caldas, A. Fazzio. Appl. Phys. Lett., 66, 2715 (1995)
  7. К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1998) вып. 33, с. 204
  8. K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk, A.V. Prokhorovich. Phys. St. Sol. (b), 213, 233 (1999)
  9. T. Schmidt, K. Lischka. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.