"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Взаимодействие между медью и сурьмой в твердом растворе на основе германия с образованием заряженного комплекса
Глазов В.М.1, Потемкин А.Я.1
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Предложена схема взаимодействия между некоторыми легирующими элементами в твердых растворах на основе полупроводников, включающая реакцию образования заряженного комплекса при введении в раствор двухзарядных доноров или акцепторов. С использованием выражения для закона действующих масс реакций ионизации легирующих добавок и взаимодействия между ними, а также с учетом электронно-дырочного взаимодействия и условия электронейтральности полупроводника получены аналитические выражения зависимости растворимости доноров от содержания акцепторов, и наоборот. Полученные соотношения апробированы на примере системы Ce--Cu--Sb. Показано, что рассчитанные на основе развитой теории и экспериментальные значения растворимости хорошо согласуются между собой.
  1. В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
  2. В.М. Глазов, А.Я. Потемкин, А.И. Киселев. ДАН СССР, 223 (2), 377 (1975)
  3. В.М. Глазов, А.И. Киселев, А.Я. Потемкин. ЖФХ, 51 (11), 2788 (1977)
  4. В.М. Глазов, А.И. Киселев, А.Я. Потемкин. Электрон. техн., сер. Материалы, N 9, 64 (1975)
  5. Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969)
  6. Н.И. Шадеев, Т.И. Грехова, А.Я. Потемкин. Электрон. техн., сер. Материалы, N 3, 63 (1974)
  7. H. Reiss, C. Fuller. Phys. Rev., 97, 559 (1956)
  8. H. Reiss, C. Fuller. J. Metals, 8, 256 (1956)
  9. H. Reiss, C. Fuller, F. Morin. Bell Syst. Techn., 35, 535 (1956)
  10. В.М. Глазов, Г.Л. Малютина, А.И. Киселев. ЖФХ, 44, 1051 (1970)
  11. В.М. Глазов, Г.Л. Малютина, А.И. Киселев. Электрон. техн., сер. 14 Материалы, N 2, 53 (1968)
  12. В.М. Глазов, А.И. Киселев. Электрон. техн., сер. 14 Материалы, N 2, 52 (1970)
  13. В.М. Глазов, А.И. Киселев, В.Н. Черняев. Электрон. техн., сер. 14 Материалы, N 3, 37 (1970)
  14. А.Г. Курош. Курс высшей алгебры (М., Наука, 1968)
  15. Л.Н. Окунев. Высшая алгебра (М., Просвещение, 1966)
  16. А.Я. Потемкин, В.И. Потапов. ФТТ, 2, (1960)
  17. А.Я. Потемкин, Е.В. Мельников. В сб.: Легированные полупроводники (М., Наука, 1975) с. 60
  18. В.М. Глазов, В.Н. Вигдорович. Микротвердость металлов и полупроводников (М., Металлургия, 1969)
  19. А.С. Охотин, А.С. Пушкарский, В.В. Горбачев. Теплофизические свойства полупроводников (М., Атомиздат, 1972)
  20. Г.Б. Бокий, А.Я. Угай и др. Кристаллохимические, физико-химические, физические свойства полупроводников (М., Изд-во стандартов, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.