"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоэдс n-InSb в поперечном квантующем магнитном поле и при большом градиенте температуры
Гаджиалиев М.М.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследована термоэдс электронного антимонида индия при Tav=160 K и различных градиентах температуры в поперечном магнитном поле (0-80) кЭ. Установлено, что при малом градиенте температуры электронная доля термоэдс подчиняется теории, учитывающей спин электрона, а при большом градиенте температуры к ней добавляется величина, обусловленная изменением термоэдс Бенедикса в магнитном поле.
  1. Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТТ, 3, 3743 (1961)
  2. И.Л. Дричко, И.В. Мочан. ФТТ, 6, 1902 (1964)
  3. S.M. Puri, T.H. Geballe. Phys. Rev., 136, 1767 (1964)
  4. Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТП, 1, 26 (1967)
  5. М.М. Гаджиалиев. Изв. вузов. Физика, N 3, 21 (1993)
  6. А.И. Ансельм, Р.Г. Тарханян. ФТТ, 6, 3357 (1964)
  7. Б.М. Аскеров. Электронные явления в полупроводниках (М., Наука, 1985) с. 223
  8. М.М. Гаджиалиев, В.А. Елизаров. ФТП, 32, 1313 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.