"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние диффузионной длины и поверхностной рекомбинации на поляризационную квантовую эффективность анизотропных кристаллов
Медведкин Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Получены формулы и проведен численный анализ зависимостей поляризационной квантовой эффективности Qp и поляризационной разности фототоков Delta i однородного анизотропного кристалла от диффузионной длины L и скорости поверхностной рекомбинации s1. Поляризационная фотопроводимость рассмотрена в области слабого и сильного оптического поглощения. Показано, что Qp(L) и Qp(s1) в этих спектральных областях ведут себя противоположным образом: снижаются при малых коэффициентах поглощения alpha и растут при больших alpha. Рассмотрены предельные случаи нулевой, малой и высокой скорости поверхностной рекомбинации для Qp(L). Зависимости проанализированы на основе типичных параметров тройных алмазоподобных полупроводников II--IV--V2.
  1. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  2. Г.А. Медведкин. Автореф. докт. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1993)
  3. Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Полупроводниковые кристаллы фотоприемников линейно-поляризованного излучения (Ташкент, Изд-во "ФАН" АН Узбекистана, 1992)
  4. G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud, M.A. Tairov. Phys. St. Sol. (a). 115, 11 (1989)
  5. Г.А. Медведкин. ФТП, 34, 533 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.