"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Бесфононные и дипольные Gamma-X-переходы электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs с квантовыми ямами в продольном электрическом поле
Алешкин В.Я.1, Андронов А.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Вычислены вероятности бесфононных и дипольных переходов электронов между Gamma- и X-подзонами в гетероструктуре GaAs/AlAs с квантовыми ямами в присутствии сильного продольного электрического поля. Показано, что электрическое поле существенно влияет как на вероятность бесфононного Gamma-X-перехода, так и на вероятность прямого дипольного Gamma-X-перехода. Кроме того, электрическое поле изменяет спектральную зависимость коэффициента межподзонного поглощения света на Gamma-X-переходах, т. е. фактически имеется межподзонный аналог эффекта Франца--Келдыша.
  1. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science 264, 553 (1994)
  2. O. Gauthier-Lafaye, F.H. Julien, S. Cabaret, J.-M. Lourtioz. Appl. Phys. Lett., 74, 1537 (1999)
  3. В.Я. Алешкин, А.А. Андронов. Письма ЖЭТФ, 68, 73 (1998)
  4. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, E.V. Demidov. Mater. Sci. Forum, 297--298, 221 (1999)
  5. H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 51, 1019 (1987)
  6. З.С. Грибников, Райчев. ФТП, 23, 2171 (1989)
  7. В.Я. Алешкин, Ю.А. Романов. ЖЭТФ, 87, 1857 (1984)
  8. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989)
  9. Справочник по специальным функциям, под ред. М. Абрамовица и И. Стиган (М., Наука, 1979)
  10. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.