"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эдс горячих носителей, обусловленная модуляцией поверхностного потенциала в сильном СВЧ поле
Гулямов Г.1, Дадамирзаев М.Г.1, Бойдедаев С.Р.1
1Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследовано влияние искажения греющей волны на рекомбинационные токи и эдс, генерируемые на p-n-переходе в сильном СВЧ поле. Показано, что высокочастотные возмущения поверхностного потенциала и высоты p-n-перехода греющей волной в режиме тока короткого замыкания приводят к уменьшению эффективной высоты барьера, а в режиме холостого хода к аномально большим значениям эдс.
  1. А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9 (2), 216 (1975)
  2. С.П. Ашмонтас. Электроградиентные явления в полупроводниках (Вильнюс, Москлас, 1984)
  3. Г. Гулямов. ФТП, 30 (7), 1279 (1996)
  4. Г. Гулямов, Б. Хамидова. ФТП, 30 (5), 169 (1996)
  5. Г. Гулямов. ФТП, 30 (3), 569 (1996)
  6. В.И. Смирнов. Курс высшей математики (М., Наука, 1974) т. 1, с. 480
  7. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26 (6), 1041 (1992)
  8. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22 (11), 2001 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.