"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метод модуляции подвижности носителей заряда в полупроводнике
Новиков В.В.1, Варданян Р.Р.1, Пахомов Э.Е.1
1ЗАО "Авангард-Электроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследован новый метод модуляции подвижности основных и неосновных носителей заряда в кремнии. Показано, что под воздействием лавинного пробоя локально расположенного p-n-перехода происходит увеличение или уменьшение подвижности носителей заряда в объеме полупроводника в зависимости от ориентации пробиваемого p-n-перехода относительно направления движения носителей заряда.
  1. Ю.П. Кузнецов, В.В. Новиков, Э.Е. Пахомов, В.А. Чецкий. Письма ЖТФ, 15 (5), 88 (1989)
  2. P.A. Childs. J. Appl. Phys., 55 (12), 4304 (1984)
  3. Р.Р. Варданян. Изв. АН АрмССР. Физика, 22 (3), 149 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.