Метод модуляции подвижности носителей заряда в полупроводнике
Новиков В.В.1, Варданян Р.Р.1, Пахомов Э.Е.1
1ЗАО "Авангард-Электроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Исследован новый метод модуляции подвижности основных и неосновных носителей заряда в кремнии. Показано, что под воздействием лавинного пробоя локально расположенного p-n-перехода происходит увеличение или уменьшение подвижности носителей заряда в объеме полупроводника в зависимости от ориентации пробиваемого p-n-перехода относительно направления движения носителей заряда.
- Ю.П. Кузнецов, В.В. Новиков, Э.Е. Пахомов, В.А. Чецкий. Письма ЖТФ, 15 (5), 88 (1989)
- P.A. Childs. J. Appl. Phys., 55 (12), 4304 (1984)
- Р.Р. Варданян. Изв. АН АрмССР. Физика, 22 (3), 149 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук