"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе
Глауберман М.А.1, Козел В.В.1, Нахабин А.В.1
1Учебно-научно-производственный центр при Одесском государственном университете, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 27 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Представлен численный анализ переноса носителей заряда в латеральных двухколлекторных магнитотранзисторах. Были получены результирующее распределение концентрации инжектированных носителей в базе магнитотранзистора при наличии магнитного поля, а также зависимость чувствительности прибора от размера эмиттера.
  1. И.М. Викулин, М.А. Глауберман, Н.А. Канищева. ФТП, 11, 645 (1977)
  2. A.W. Vinal, N.A. Masnari. IEDM Tech. Dig., 12, 308 (1982)
  3. Д. Мак-Кракен, У. Дорн. Численные методы и программирование на Фортране (М., Мир, 1977)
  4. И.М. Викулин, М.А. Глауберман, Н.А. Канищева, Г.А. Егиазарян, Ю.С. Манвелян. ФТП, 15, 399 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.