"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поведение AlGaAs/GaAs-фотодиодов при облучении "мягким" ионизирующим излучением
Андреев В.М.1, Калиновский В.С.1, Ларионов В.Р.1, Стругова Е.О.1, Румянцев В.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.