"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм токопереноса в диодных структурах на основе n-GaP с напыленным палладием
Слободчиков С.В.1, Салихов X.М.1, Саморуков Б.Е.1, Руссу E.В.1, Ковалевская Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

На основе измерений вольт-амперных и вольт-емкостных характеристик диодных структур, созданных напылением палладия в вакууме на кристаллах n-GaP с n=1· 1017 см-3 и ориентацией (111) и (100), проанализирован механизм токопрохождения. Показано, что токоперенос обусловлен двойной инжекцией носителей тока в компенсированную область, созданную дефектными состояниями акцепторного типа и образующими глубокие центры захвата дырок. Влияние захвата дырок на ВАХ в большей степени изменяет обратную ветвь, причем коэффициент захвата gamma=jNti/jpti=2.1, и происходит сильное изменение "тока насыщения" J0 и коэффициента n в аналитической зависимости J=J0exp(qV/nkT). Изменение работы выхода палладия вследствие поглощения водорода не изменяет существенно вид ВАХ, что подтверждает установленный механизм токопереноса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.