На основе измерений вольт-амперных и вольт-емкостных характеристик диодных структур, созданных напылением палладия в вакууме на кристаллах n-GaP с n=1· 10¹⁷ см^-3 и ориентацией (111) и (100), проанализирован механизм токопрохождения. Показано, что токоперенос обусловлен двойной инжекцией носителей тока в компенсированную область, созданную дефектными состояниями акцепторного типа и образующими глубокие центры захвата дырок. Влияние захвата дырок на ВАХ в большей степени изменяет обратную ветвь, причем коэффициент захвата gamma=_jN_ti/_jp_ti=2.1, и происходит сильное изменение "тока насыщения" J₀ и коэффициента n в аналитической зависимости J=J₀exp(qV/nkT). Изменение работы выхода палладия вследствие поглощения водорода не изменяет существенно вид ВАХ, что подтверждает установленный механизм токопереноса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.