Теоретически исследовано влияние глубоких примесей на фотоэффект в сильно смещенной высокоомной симметричной МПМ стуруктуре при освещении монохроматическим светом (hnu<= E_g). Решалась полная система уравнений непрерывности в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах учтена термоэлектронная эмиссия носителей через поверхность металл-полупроводник. Результаты приведены для структуры Au-CdTe-Au с одиночным примесным уровнем. Для темнового случая показано, в частности, что ток j немонотонно зависит от концентрации примеси N_t. При малых N_t ток электронный, линейно уменьшается с ростом N_t и пропорционален приложенному напряжению V. При N_t, превосходящих некоторое характерное значение, ток дырочный и пропорционален sqrt(N_tV)sqrt . Вблизи анода расположена область сильного поля. Определены пороги интенсивностей освещения, ниже которых распределение электрического поля и ток не отличаются от темновых. Показано, что при увеличении интенсивности освещения выше пороговой распределение E(x) сильно изменяется: поле у анода E₀ уменьшается, поле у катода E_d растет, а все распределение в толще становится более однородным. При интенсивности I₁, вызывающей полное экранирование заряда примесей зарядом фотогенерированных дырок, распределение поля в толще близко к однородному, и (если N_t=< 10¹³ см^-3 E₀~ E_d~ V/d. При интенсивности, близкой к I₁, профиль поля линеен, а ток - линейная функция интенсивности. Величина I₁ и ток j(I₁) не зависят от концентрации примеси. Полученные данные свидетельствуют о возможности управления электрическим полем в структуре малыми световыми потоками.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.