"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция множественных квантовых ям GaAs/AlxGa1-xAs в структурах для инфракрасных фотоприемников
Варданян Б.Р.1, Резванов Р.Р.1, Чукичев М.В.1, Юнович А.Э.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

В спектрах фото- и катодолюминесценции множественных квантовых ям GaAs/AlxGa1-xAs (x=0.30/ 0.35), выращенных МОС гидридной эпитаксией и предназначенных для ИК фотоприемников, наблюдаются дополнительные линии и уширение спектральных полос. Показано, что эти изменения в спектрах люминесценции могут быть объяснены прежде всего флуктуациями ширины квантовых ям. На спектры влияют и примесные состояния доноров. Обсуждается влияние факторов, проявляющихся в спектрах люминесценции, на спектры ИК поглощения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.